The effect of electron irradiation on parameters of semiconductor diodes with a single current pulse passage has been studied. The results of the calculations and experimental studies of the electron irradiation effect on the electrical impulse strength have been presented. It has been shown that with the pulse width increase the decrease of the pulse amplitude value of the current, required to reach the critical temperature, occurs due to the thermal resistance increase.
Igor A. Kharitonov
National Research University «Higher School of Economics» (Moscow Institute of Electronics and Mathematics)
1. Ванин В.И. Зависимость импульсной электрической прочности полупроводнико-вых приборов от длительности и формы одиночного импульса напряжения, воздейству-ющего на них//ВАНТ: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппара-туру. – 2009. – № 2. – С. 23–27.
2. Вяхирев В. Измерение тепловых характеристик полупроводников электронных компонентов//Технология электронной промышленности. Сер. Микроэлектроника. – 2013. – № 3. – С. 90–92.
3. Hensler A., Herold C., Lutz J., Thoben M. Thermal impedance monitoring during power cycling tests // PCIM Europe (Nuremberg, Germany, 2011). – Nuremberg, 2011.
4. Влияние перегрева р–n-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов / А.Е. Беляев, В.В. Басанец, Н.С. Болтовец и др. // Физика и техника полупроводников. – 2011. – Т. 45. – Вып. 2. – С. 256–262.
5. Коршунов Ф.П., Марченко И.Г., Жданович Н.Е. Отжиг радиационных дефектов в электронно-облучаемых Mo/n-Si-cтруктурах Шоттки // Материалы 9-й междунар. конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом» (Минск, 2011). – Минск, 2011.
6. Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Интегральные радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов: учеб. пособие. – М.: МИЭМ, 1998. – 89 с.
7. Лысенко А.П. Пробой р–n-перехода и способы повышения пробивного напряже-ния: учеб. пособие. – М.: МИЭМ, 2011. – 62 с.