Приведены результаты исследования процесса формирования поликремниевых элементов при наличии сложного рельефа в виде островков кремния в структуре кремний на изоляторе (КНИ). Найдены оптимальные технологические параметры процесса и описаны определяющие их физико-химические механизмы. Предложена новая концепция организации процесса вакуумно-плазменного травления поликремниевых элементов при наличии сложного рельефа. Разработан и оптимизирован процесс реактивно-ионного травления поликремниевых элементов при формировании структур схем повышенной радиационной стойкости, таких как КНИ.
1. Айнспрук Н., Браун Д. Плазменная технология в производстве СБИС. – М.: Мир, 1987. – 469 с.
2. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для очистки и травления материалов. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 263 с.
3. Bell F.H., Joubert O. Polysilicon gate etching in high density plasmas. III. X‐ray photoe-lectron spectroscopy investigation of sidewall passivation of silicon trenches using an oxide hard mask. – 1996. – URL: http://dx.doi.org/10.1116/1.588758 (дата обращения: 01.02.13).
4. Chang K.M., Yeh T.H., Deng I.C., Lin H.C. Highly selective etching for polysilicon and etch-induced damage to gate oxide with halogen-bearing electroncyclotron-resonance plasma / J. of Appl. Phys. – Vol. 80, N 5. – Sep. 1996. – P. 3048–3055.
5. Галперин В.А., Данилкин Е.В., Мочалов А.И. Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. – 283 с.
6. Effects of plasma conditions on the shapes of features etched in Cl2 and HBr plasmas. I. Bulk crystalline silicon etching / M.A. Vyvoda, M.V. Malyshev, F.P. Klemens et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. – 1998. – N 16. – P. 3247–3258.
7. Role of sidewall scattering in feature profile evolution during Cl-2 and HBr plasma etch-ing of silicon / M.A. Vyvoda, D.B. Graves, H. Lee et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. – 2000. – N 18. – P. 820–833.