The mode of ultra-high metal-insulator-semiconductor diode stressed-deformation materials hermetic assembly design, implemented based on the bond silicon membrane with two gold beam-leads under the effect of temperature and an increased atmospheric pressure, has been investigated. The construction is protected by various sealing materials based on lacquers, enamels and compounds. The recommendations on minimization of the stressed-deformation mode of connection of various materials by optimization of the design and technology of the diode have been developed.
1. Физические величины: Справочник / Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлахова. - М.: Энергоатомиздат,
1991. - 1232 с.
2. Кузнецов О.А., Погалов А.И., Сергеев В.С. Прочность элементов микроэлектронной аппаратуры. - М.:
Радио и связь, 1990. - 144 с.
3. Ли К. Основы САПР (CAD/CAM /САЕ). - СПб.: Питер, 2004. - 560 с.
4. Норепков И.П., Кузьмик П.К. Информационная поддержка наукоемких изделий. САLSтехнологии.
- М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2002. - 320 с.
5. Норепков И.П. Основы автоматизированного проектирования. - М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана,
2006. - 448 с.
6. Феодосьев В.И. Сопротивление материалов. - М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2000. - 592 с.