The results of the development of technologies for magnetic semiconductor chips based on thin-film magnetoresistive multilayer nanostructures are presented. A brief overview of the main achievements in the field of magnetometric devices based on anisotropic and giant magnetoresistive effect is made.
1. Касаткин С.И., Муравьев А.М. Тонкопленочные магниторезистивные датчики // Электронные компоненты. – 2003. – № 3. – C.1–4.
2. Касаткин С.И., Васильева Н.П., Муравьёв А.М. Спинтронные магниторезистивные элементы и приборы на их основе. – М.: Электронинформ, 2005. – 168с.
3. Микроэлектронная магниторезистивная технология / В.В. Амеличев, А.И. Галушков, В.В. Дягилев и др. // Нано- и микросистемная техника. – 2007. – № 3. – С. 22–26.
4. Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Панас А.И., Эпштейн Э.М. Спинтроника: обменное переключение ферромагнитных металлических переходов при малой плотности токов // УФН. – 2009. – Т. 179. – № 4. – С. 359–368.
5. Беспроводная магниторезистивная микросистема измерения магнитного поля / В.В. Аравин, В.В. Амеличев, А.А. Демин и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2012. – №6(98). – С. 57–63.
6. Сайт фирмы NVE URL: www.nve.com (дата обращения: 27.04.2015).
7. Перспективы применения тонкопленочных магниторезистивных наноструктур в многокристальных беспроводных МЭМС / В.В. Аравин, В.В. Амеличев, В.Д. Вернер и др. // Материалы IX науч.-техн. конф. «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». – Звенигород, 2010. – С. 152–153.
8. http://powerelectronics.com/passive-components/microtransformer-isolation-benefits-digital-control (дата обращения: 27.04.2015).