<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="udk">621.38:79</article-id><article-categories><subj-group><subject>Информационно-телекоммуникационные системы</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Development of Magneto-Semiconductor Microsystems Technology</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Развитие технологий магнитополупроводниковых микросистем</trans-title></trans-title-group></title-group><fpage>505</fpage><lpage>510</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/en/issues/5-_2015/razvitie_tekhnologiy_magnitopoluprovodnikovykh_mikrosistem/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru/en/download/5_2015_1866_en.pdf</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The results of the development of technologies for magnetic semiconductor chips based on thin-film magnetoresistive multilayer nanostructures are presented. A brief overview of the main achievements in the field of magnetometric devices based on anisotropic and giant magnetoresistive effect is made.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Представлены результаты развития технологий магнитополупроводниковых микросистем на основе многослойных тонкопленочных магниторезистивных наноструктур. Дан краткий обзор основных достижений в области создания магнитометрических приборов на основе анизотропного и гигантского магниторезистивных эффектов.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd/></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Касаткин С.И., Муравьев А.М. Тонкопленочные магниторезистивные датчики // Электронные компоненты. – 2003. – № 3. – C.1–4.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Касаткин С.И., Васильева Н.П., Муравьёв А.М. Спинтронные магниторезистивные элементы и приборы на их основе. – М.: Электронинформ, 2005. – 168с.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Микроэлектронная магниторезистивная технология / В.В. Амеличев, А.И. Галушков, В.В. Дягилев и др. // Нано- и микросистемная техника. – 2007. – № 3. – С. 22–26.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Панас А.И., Эпштейн Э.М. Спинтроника: обменное переключение ферромагнитных металлических переходов при малой плотности токов // УФН. – 2009. – Т. 179. – № 4. – С. 359–368.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Беспроводная магниторезистивная микросистема измерения магнитного поля / В.В. Аравин, В.В. Амеличев, А.А. Демин и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2012. – №6(98). – С. 57–63.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Сайт фирмы NVE URL: www.nve.com (дата обращения: 27.04.2015).</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Перспективы применения тонкопленочных магниторезистивных наноструктур в многокристальных беспроводных МЭМС / В.В. Аравин, В.В. Амеличев, В.Д. Вернер и др. // Материалы IX науч.-техн. конф. «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». – Звенигород, 2010. – С. 152–153.</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">http://powerelectronics.com/passive-components/microtransformer-isolation-benefits-digital-control (дата обращения: 27.04.2015).</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
