The model of the thermal defeat of the semiconductor microwave diode by powerful microwave impulse with the temperature dependent density of power has been presented. The distribution of the maximum temperature on semiconductor structure depending on duration of the impulse radiation has been found.
Alexander M. Khodakov
Ulyanovsk Branch of Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of Russian Academy of Sciences, Ulyanovsk, Russia
1. Добыкин В.Д., Куприянов А.И., Пономарёв В.Г., Шустов Л.Н. Радиоэлектронная борьба. Силовое поражение электронных систем. – М.: Вузовская книга, 2007. – 464 с.
2. Wunsh D.C., Bell R.R. Determination of threshold failure levels of semiconductor diodes and transistors due to pulse voltage //IEEE Transaction on Nuclear Science. – 1968. – Vol. NS-15. – N. 6. – P.244–259.
3. Taska D.M. Pulse power failure modes in semiconductors // IEEE Transaction on Nuclear Science. – 1970. – Vol. NS-17. – N. 7. – P. 364–372.
4. Добыкин В.Д. Развитие теории теплового поражения полупроводниковых струк-тур мощным сверхвысокочастотным излучением // Радиотехника и электроника. – 2008. – Т. 53. – №1. – С. 108–111.
5. Сергеев В.А., Ходаков А.М. Нелинейная тепловая модель гетеропереходного свето-диода // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т. 46. – Вып. 5. – С. 691–694.
6. Lee S., Song S., Au V., Moran K. Constriction/spreading resistance model for electronic packaging // Proc. of ASME/JSME Thermal Engineering Conference. – 1995. – Vol. 4P. – P. 199.
7. Сергеев В.А., Ходаков А.М. Нелинейные тепловые модели полупроводниковых приборов. – Ульяновск: УлГТУ, 2012. – 160 с.
8. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Лань, 2001. – 480 с.
9. Сергеев В.А., Ходаков А.М. Моделирование нестационарных теплоэлектрических процессов в структуре мощного светодиода. // Изв. вузов. Электроника. – 2011. – №6(92). – С. 80–82.