Представлена модель теплового поражения полупроводникового СВЧ-диода мощным СВЧ-импульсом с температурозависимой плотностью мощности. Найдено распределение максимальной температуры по полупроводниковой структуре в зависимости от длительности импульса излучения.
Сергеев Вячеслав Андреевич
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия; Ульяновский государственный технический университет, г. Ульяновск, Россия
Ходаков Александр Михайлович
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия
1. Добыкин В.Д., Куприянов А.И., Пономарёв В.Г., Шустов Л.Н. Радиоэлектронная борьба. Силовое поражение электронных систем. – М.: Вузовская книга, 2007. – 464 с.
2. Wunsh D.C., Bell R.R. Determination of threshold failure levels of semiconductor diodes and transistors due to pulse voltage //IEEE Transaction on Nuclear Science. – 1968. – Vol. NS-15. – N. 6. – P.244–259.
3. Taska D.M. Pulse power failure modes in semiconductors // IEEE Transaction on Nuclear Science. – 1970. – Vol. NS-17. – N. 7. – P. 364–372.
4. Добыкин В.Д. Развитие теории теплового поражения полупроводниковых струк-тур мощным сверхвысокочастотным излучением // Радиотехника и электроника. – 2008. – Т. 53. – №1. – С. 108–111.
5. Сергеев В.А., Ходаков А.М. Нелинейная тепловая модель гетеропереходного свето-диода // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т. 46. – Вып. 5. – С. 691–694.
6. Lee S., Song S., Au V., Moran K. Constriction/spreading resistance model for electronic packaging // Proc. of ASME/JSME Thermal Engineering Conference. – 1995. – Vol. 4P. – P. 199.
7. Сергеев В.А., Ходаков А.М. Нелинейные тепловые модели полупроводниковых приборов. – Ульяновск: УлГТУ, 2012. – 160 с.
8. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Лань, 2001. – 480 с.
9. Сергеев В.А., Ходаков А.М. Моделирование нестационарных теплоэлектрических процессов в структуре мощного светодиода. // Изв. вузов. Электроника. – 2011. – №6(92). – С. 80–82.