Персоналии

Поглощающие элементы прямоугольной и сложной формы на основе однородной резистивной пленки используются для построения волноводных, коаксиальных и микрополосковых аттенюаторов. Уменьшение габаритов аттенюаторов ведет к сложностям при реализации малых и больших ослаблений, что требует перехода к поглощающим элементам на основе кусочно-однородных структур. Для реализации широкого диапазона ослаблений мощности радиосигналов в работе предложены топологии малогабаритных поглощающих элементов волноводных, коаксиальных и микрополосковых аттенюаторов, отличающиеся от известных элементов аттенюаторов с двухслойной резистивной пленкой пониженной температурной стабильностью и сложной технологией изготовления. Такое ослабление достигается использованием однослойной резистивной пленки с центральной областью с большим (вырез) либо малым (проводник) удельным сопротивлением. Разработана методика расчета предложенных поглощающих элементов, основанная на строгом методе конформных отображений. Полученные соотношения в рассмотренных частных случаях совпадают с известными в литературе. Приведены трехмерные графики зависимостей ослабления мощности радиосигналов и нормированного входного сопротивления от нормированных размеров выреза или проводника центральной области. Отмечены широкие возможности управления выходными параметрами поглощающих элементов. Работоспособность методики проверена с помощью моделирования в отечественном программном комплексе Elcut как параметров схемы замещения, так и выходных параметров поглощающих элементов - входного сопротивления и ослабления, а также анализа реальных образцов малогабаритных навесных поглощающих элементов микрополосковых аттенюаторов предложенных топологий.

• Просмотров: 2999 | Комментариев : 0

Методами конечных элементов и конформных отображений построены аналитические модели низкоомных и ультранизкоомных пленочных резисторов основных типов гребенчатых (встречно-штыревых) структур при произвольных отношениях удельных поверхностных сопротивлений резистивной и проводящей пленок. В результирующем сопротивлении учтены сопротивления электродов гребенчатой структуры и объединяющих электродов, а также дополнительное сопротивление, связанное с переходом тока из проводящей пленки в резистивную и наоборот. Выявлены условия, при которых граница раздела пленок может считаться эквипотенциальной. Построена схема замещения низкоомных гребенчатых резисторов, используемых в качестве датчиков тока в схемах стабилизации, контроля, тепловой и токовой защиты.

• Просмотров: 1129 | Комментариев : 0

Одной из актуальных задач при проектировании гибридных интегральных схем (ГИС) является построение адаптоаттенюаторов - пленочных поглощающих элементов, обеспечивающих широкий диапазон ослаблений с заданными значениями входного и выходного сопротивлений. Известные варианты адаптоаттенюаторов на основе однородной и кусочно-однородной резистивной пленки обеспечивают коэффициент трансформации сопротивлений не более 3 и 10-12 соответственно. В работе предложены перспективные топологии адаптоаттенюаторов для ГИС с близким к оптимальному профилем входного и выходного контактов. Показано, что данные топологии позволяют не только получать широкий диапазон коэффициентов трансформации (более 100), но и в 10-30 раз уменьшать максимальные значения градиента потенциала и плотности мощности. При расчете прямоугольной топологии использован аппарат теории функций комплексного переменного. Моделирование оптимизированной топологии адаптоаттенюаторов для ГИС проведено методом конечных элементов, реализованным в программном комплексе Elcut. Приведены расчетные соотношения и графики, показывающие взаимосвязь ослабления, коэффициента трансформации, выигрыша в градиенте потенциала и плотности мощности в зависимости от соотношения размеров пленочного элемента и удельных сопротивлений используемых резистивных пленок. Рассмотрены особенности подгонки адаптоаттенюаторов. Полученные результаты важны для работы пленочного элемента адаптоаттенюаторов для ГИС в импульсном режиме.

• Просмотров: 118 | Комментариев : 0

Предложена топология и проведен расчет чип-аттенюаторов и адаптоатrенюаторов широкого диапазона ослаблений для поверхностного монтажа на основе распределенных резистивных структур. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований как на реальных образцах разработанных изделий, так и на их крупномасштабных моделях.

• Просмотров: 78 | Комментариев : 0