Персоналии
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Известия высших учебных заведений. Электроника: Электроника
Menu button
Известия высших учебных заведений.
Электроника
home
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Известия высших учебных заведений. Электроника
Найти
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Персоналии
Известия высших учебных заведений
Персоналии
Сорокин Дмитрий Владимирович
инженер отдела структурного анализа и метрологии Института нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Россия, 115487, г. Москва, ул. Нагатинская, 16А, стр. 11)
Статьи автора
Свернуть
EEPROM
энергонезависимая память
пороговое напряжение
Задать фильтры
Эффект насыщения окна памяти в элементах хранения микросхем энергонезависимой памяти с плавающим затвором
Просмотров: 516 | Комментариев : 0