Персоналии

Пономарев Олег Павлович
доктор технических наук, профессор, департамент радиоэлектроники и связи Института радиоэлектроники и информационных технологий Уральского федерального университета имени первого Президента России Б.Н. Ельцина (Россия, 620001, г. Екатеринбург, ул. Мира, 32)

Статьи автора

Высокочувствительные биомаркеры, разработанные на основе квантовых точек (КТ), представляют альтернативу широко известным органическим красителям, которые используются в ходе хирургических вмешательств на сетчатке. Биологические свойства КТ позволяют отчетливо визуализировать состояние сетчатки, стекловидного тела, задней гиалоидной, внутренней пограничной и эпиретинальных мембран, кольца Вейса. Проведено математическое и компьютерное моделирование фотосинтетических структур на основе КТ. На базе метода разложения искомых полей по векторным сферическим гармоникам предложен усовершенствованный математический аппарат расчета локальных электромагнитных полей в нанобиокомплексах. Использованы коэффициенты Г. Ми с учетом h -слойного покрытия КТ сферической формы произвольного состава и размеров, а также ограничения рядов разложения по мультиполям до трех членов. Оценена сходимость рядов с учетом реальных свойств материала КТ и биоокружения. Получены сечения рассеяния, экстинкции квантовых точек InP/ZnS типа GA-150 в полиметилметакрилате для различного размерного ряда, а также амплитудные распределения локальных электромагнитных полей. Проведено моделирование плазмон-поляритонного механизма взаимодействия КТ в кластере с биомолекулами. Определены параметры процессов, ухудшающих оптические свойства нанобиокомплекса при фёрстеровском безызлучательном взаимодействии донорно-акцепторных пар. В программе ANSYS HFSS получены трехмерные распределения рассеянного света на кластере КТ размерностью 5´5´3. Результаты моделирования кинетики взаимодействия КТ с биоокружением показывают возможность реализации искусственного нейростимулятора фоторецепторов, например, на основе мембраны пористого оксида алюминия со встроенными в поры КТ полупроводникового (InP/ZnS) типа.

  • Просмотров: 2380 | Комментариев : 0

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru