Предложен бесконтактный неразрушающий метод определения концентрации свободных носителей заряда в монокристаллических образцах твердых растворов Cd HgTe и многослойных эпитаксиальных гетероструктурах на их основе по спектрам отражения в дальней инфракрасной области. На спектральной зависимости коэффициента отражения, полученной при комнатной температуре, определены характеристическая точка и отвечающее ей волновое число. С помощью рассчитанных градуировочных кривых получено значение концентрации тяжелых дырок. Показано, что при построении градуировочных кривых необходимо учитывать взаимодействие плазменных колебаний с продольными оптическими фононами.
- Просмотров: 1416 | Комментариев : 0