Персоналии
Инженер-исследователь ИСВЧПЭ РАН (г. Москва), аспирант Московского технологического университета. Область научных интересов: исследование радиационной стойкости монолитных интегральных схем на основе нитрида галлия.
Инженер-исследователь Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (г. Москва) (ИСВЧПЭ РАН), аспирант Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (г. Черноголовка) (ИПТМ РАН). Область научных интересов: технологии формирования омических контактов к нитридным гетероструктурам, плазмохимия в технологиях микроэлектроники, нитридные СВЧ-устройства.
Инженер АО «Научно-исследовательский институт микроприборов-К» (г. Москва). Область научных интересов: измерение и исследование электрофизических характеристик полупроводниковых приборов на основе МДП-структуры.
Кандидат технических наук, начальник лаборатории АО «Научно-исследовательский институт микроприборов-К» (г. Москва). Область научных интересов: разработка и исследования СВЧ полупроводниковых приборов, в частности лавинно-пролетных диодов, переключательных диодов с p-i-n-структурой, варикапов с МДП-структурой.
Инженер АО «Научно-исследовательский институт микроприборов-К» (г. Москва). Область научных интересов: измерение электрофизических характеристик, разработка и технология изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структуры.