Персоналии

Использование спин-диодного эффекта, возникающего в магнитных туннельных переходах под действием токовой передачи вращательного момента, открывает перспективу значительного повышения микроволновой чувствительности по сравнению с полупроводниковыми диодами Шоттки в гигагерцовом диапазоне частот.  Проведен теоретический анализ спин-диодного эффекта выпрямления микроволнового сигнала на магнитном туннельном переходе при резонансном возбуждении спиновых колебаний в незакрепленном магнитном слое в результате токовой передачи вращательного момента. В линейном макроспиновом приближении рассчитаны частотные характеристики резонансного отклика спинового диода на микроволновый сигнал в зависимости от направления и величины приложенного магнитного поля и тока смещения. Показано, что в отсутствие тока смещения максимальное выпрямленное напряжение на переходе достигается при взаимно перпендикулярной геометрии намагничивания его берегов и падает с ростом резонансной частоты колебаний в магнитном поле при сохранении равновесной ориентации спинов в слоях. При включении тока смещения резонансная амплитуда вынужденных колебаний спинов свободного слоя при микроволновом возбуждении резко возрастает вблизи критической точки потери устойчивости равновесного состояния спинового диода. В этой точке ширина линии ограничивается только нелинейными эффектами. Повышение чувствительности спинового диода актуально для его применения в системах микроволнового голографического видения.

• Просмотров: 2316 | Комментариев : 0