В последнее время пленки твердых растворов CuZnSn(S Se) (CZTSSe) используются в качестве светопоглощающих слоев в тонкопленочных солнечных элементах. Пленки CZTSSe являются аналогом Cu(In,Ga)Se, но не содержат редких и дорогостоящих элементов In и Ga. В настоящей работе пленки CZTSSe получены двухстадийным методом. На первой стадии проведено электрохимическое осаждение компонентов Cu, Zn, Sn и S (или Se) на стекло с подслоем Mo. На второй осуществлен последующий отжиг в атмосфере Se(S) в потоке N. Показано, что фазовый состав и структура синтезированных пленок CZTSSe сильно зависят от их элементного состава и режимов обработки. Получены поликристаллические пленки CZTSSe тетрагональной структуры, содержащие фазы кестерита и станнита, с энергией запрещенной зоны 1,36 и 1,48 эВ. Исследование комбинационного рассеяния пленок подтверждает формирование твердых растворов CZTSSe с двухмодовым характером колебаний для пленок, содержащих свыше 30 ат.% серы. Предварительные результаты демонстрируют применимость предлагаемого метода для создания пленок CZTSSe для тонкопленочных солнечных элементов.
- Просмотров: 1925 | Комментариев : 0