Исследована кинетика графитизации поверхности при диссоциативном испарении карбида кремния в вакууме воздействием сканирующего источника тепла. Разработанная модель процесса позволяет рассчитать динамику формирования и количество атомарных слоев остаточного углерода. Коэффициент стехиометрии пара, при котором минимизируется дефектность структуры графена, оптимизирован по температуре сублимации . Предлагаемый метод может быть базовой технологией для получения графена.
- Просмотров: 1163 | Комментариев : 0