Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1); Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Россия, 119334, г. Москва, Ленинский пр-т, 32А)
аспирант Института физики и прикладной математики Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1); младший научный сотрудник Института нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Россия, 119334, г. Москва, Ленинский пр-т, 32А)
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Россия, 119334, г. Москва, Ленинский пр-т, 32А)
доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник Института нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Россия, 119334, г. Москва, Ленинский пр-т, 32А)
доктор физико-математических наук, доцент, профессор Института физики и прикладной математики Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
кандидат физико-математических наук, доцент Института физики и прикладной математики Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1); старший научный сотрудник Института нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Россия, 115487, г. Москва, ул. Нагатинская, 16а, стр. 11