Персоналии

Инженер-исследователь ИСВЧПЭ РАН (г. Москва), аспирант Московского технологического университета. Область научных интересов: технологии изготовления МИС на основе нитрида галлия.
Научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН (г. Москва). Область научных интересов: лазерная физика, лазерная спектроскопия, физика наноструктур, взаимодействие излучения с веществом, генерация и детектирование террагерцового излучения.
Инженер-исследователь ИСВЧПЭ РАН (г. Москва), аспирант Московского технологического университета. Область научных интересов: исследование радиационной стойкости монолитных интегральных схем на основе нитрида галлия.
Инженер-исследователь Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (г. Москва) (ИСВЧПЭ РАН), аспирант Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (г. Черноголовка) (ИПТМ РАН). Область научных интересов: технологии формирования омических контактов к нитридным гетероструктурам, плазмохимия в технологиях микроэлектроники, нитридные СВЧ-устройства.
Инженер АО «Научно-исследовательский институт микроприборов-К» (г. Москва). Область научных интересов: измерение и исследование электрофизических характеристик полупроводниковых приборов на основе МДП-структуры.

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru