Экспериментально исследованы чувствительность и начальный разбаланс напряжения между коллекторами двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора ---типа с базой, сформированной в кармане, который служит третьим коллектором (3КБМТБК) при пониженной скорости поверхностной рекомбинации в базе. Схема включения магнитотранзистора определяет режим работы и параметры прибора. Показано, что магниточувствительность по напряжению достигает 11 В/Тл.