The sensitivity and the initial offset of voltage between the collectors of the two-collector lateral bipolar magnetotransistor of npn-type with the base, formed in the well being the third collector (3KBMTBW) at the reduced rate of the surface recombination in the base, have been experimentally investigated. The magnetotransistor switch-on circuit determines the operation mode and the device parameters. It has been shown, that the magnetosensitivity of voltage achieves 11 V/T.
Экспериментально исследованы чувствительность и начальный разбаланс напряжения между коллекторами двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора ---типа с базой, сформированной в кармане, который служит третьим коллектором (3КБМТБК) при пониженной скорости поверхностной рекомбинации в базе. Схема включения магнитотранзистора определяет режим работы и параметры прибора. Показано, что магниточувствительность по напряжению достигает 11 В/Тл.