Рассмотрены конструкции усилителей считывания для ЭСППЗУ и флэш-памяти. Проведены их классификация и анализ. Выбран вариант конструкции усилителя считывания с наилучшей совокупностью параметров по чувствительности, быстродействию и устойчивости к помехам, изменению температуры и напряжения питания. Разработана методика расчета параметров выбранного усилителя считывания, приведены результаты моделирования усилителя для технологии КМОП 0,18 мкм.