Представлены результаты исследований технологии тонких пленок ZnO для использования в составе интегральных МЭМС-устройств. Показано, что удельное сопротивление и стабильность во времени пленок ZnO:Ga существенно зависят от их толщины, воздействия солнечного излучения, внешней окружающей среды. Причиной нестабильности тонких пленок ZnO являются процессы генерации и залечивания кислородных вакансий, создающие донорные уровни в запрещенной зоне ZnO.