Методы исследования температурных зависимостей диэлектрических параметров сегнетоэлектриков

Раздел находится в стадии актуализации

Предложен автоматизированный метод эмпирико-теоретического моделирования температурных зависимостей диэлектрических параметров сегнетоэлектриков, основанный на законе Кюри - Вейса. Проведен метрологический анализ канала измерения температуры информационно-измерительной системы для исследования сегнетоэлектриков, что способствует повышению точности измерений и моделирования.
Печерская Екатерина Анатольевна
Пензенский государственный университет, г. Пенза, Россия
Соловьев Виталий Анатольевич
Пензенский государственный университет
Метальников Алексей Михайлович
Пензенский государственный университет
Бобошко Артём Владиславович
Пензенский государственный университет

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru