С использованием методов зондовой диагностики плазмы исследован плазмохимический реактор ICP-типа. Проведена оценка плотности плазмы в области подложки при различных параметрах процесса. Измерены потенциал автоматического смещения на поверхности стеклянных подложек различной толщины, а также однородность распределения плотности ионного тока по диаметру пластины. Определен режим глубокого травления кремния с высокой однородностью по всей пластине.