Сравнение стандартного и модуляционного методов измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов с использованием двух тепловых интерфейсов

Сравнение стандартного и модуляционного методов измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов с использованием двух тепловых интерфейсов

Раздел находится в стадии актуализации

Современные полупроводниковые приборы коммутируют существенно бóльшие токи при высоких напряжениях; одновременно их размеры уменьшаются, что усложняет теплоотвод. Основным параметром, определяющим качество теплоотвода от кристалла полупроводникового устройства, является тепловое сопротивление переход – корпус. В работе приведено сравнение современных методов измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов. Проведено экспериментальное сравнение результатов измерений по стандарту JESD51-14, который предполагает разогрев объекта импульсами греющего тока нарастающей длительности, а также с помощью модуляционного метода, использующего греющую мощность, модулированную по гармоническому закону. Объект измерения – мощный FRED-диод 60EPU02 (International Rectifier). Полученные результаты показывают хорошую согласованность методов. Установлено, что оригинальный модуляционный метод значительно проще в использовании, так как не требует сложных систем охлаждения объекта и дополнительных измерений с разными теплопроводящими интерфейсами.
  • Ключевые слова: мощные полупроводниковые приборы, стандарты измерения теплового сопротивления, модуляционный метод
  • Опубликовано в разделе:
  • Библиографическая ссылка: Гавриков А. А., Смирнов В. И. Сравнение стандартного и модуляционного методов измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов с использованием двух тепловых интерфейсов. Изв. вузов. Электроника. 2026;31(5):516–526. DOI: 10.24151/1561-5405-2026-31-5-516-526.AQGGXF
  • Источник финансирования: работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках государственного задания ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН (FFWZ-2025-0001)
Гавриков Андрей Анатольевич
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия
Смирнов Виталий Иванович
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия; Ульяновский государственный технический университет, г. Ульяновск, Россия

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru