Газочувствительные слои на основе модифицированного серебром станната цинка

Раздел находится в стадии актуализации

Основное преимущество полупроводниковых газовых сенсоров на основе станната цинка связано с уменьшением рабочих температур по сравнению с сенсорами на основе бинарных оксидов металлов. Дополнительное улучшение характеристик полупроводниковых газовых сенсоров может быть достигнуто за счет их модифицирования наночастицами благородных металлов. В работе проведено исследование наночастиц станната цинка и серебра, синтезированных методом химического соосаждения. Проанализированы морфология поверхности, фазовый и химический состав синтезированных порошков. Газочувствительные свойства исследованы при воздействии летучих органических соединений. Показано, что порошок станната цинка представляет собой соединение ZnSnO3. Модифицирование серебром доказано с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Газочувствительные слои на основе станната цинка при температуре 250 ºС продемонстрировали отклик к 1000 ppm ацетона, равный 7,1. После модифицирования станната цинка серебром отклик к ацетону уменьшается, а отклик к спиртам (этиловому и изопропиловому) увеличивается. Модифицирование наночастицами серебра позволяет увеличить отклик сенсорных слоев на основе станната цинка к изопропиловому спирту в 20 раз, к этанолу – в 16 раз.
Шомахов Замир Валериевич
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова, г. Нальчик, Россия; Институт информатики и проблем регионального управления – филиал Кабардино-Балкарского научного центра Российской академии наук, г. Нальчик, Россия
Налимова Светлана Сергеевна
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), г. Санкт-Петербург, Россия
Рыбина Арина Алексеевна
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), г. Санкт-Петербург, Россия
Бузовкин Сергей Сергеевич
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), г. Санкт-Петербург, Россия
Буй Конг Доан
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), г. Санкт-Петербург, Россия
Мошников Вячеслав Алексеевич
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), г. Санкт-Петербург, Россия

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru