1. Bercha A., Sakowski K., Muziol G., Hajdel M., Trzeciakowski W. Light emission at reverse voltage in a wide-well (In,Ga)N/GaN light-emitting diode. Phys. Rev. Applied. 2024;21(5):054030.
https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.21.054030
2. Sergeev V., Radaev O., Frolov I., Kazankov A. Measurement of luminescence intensity fluctuation parameters of local regions of the light emitting diode crystal in the electric breakdown mode. In: 2024 X International Conference on Information Technology and Nanotechnology (ITNT). Samara: IEEE; 2024, p. 1–5.
https://doi.org/10.1109/ITNT60778.2024.10582328
3. Kim T., Kim G., Cho M.-K., Cressler J. D., Han J., Song I. Investigation of device- and circuit-level reliability of inverse-mode silicon-germanium heterojunction bipolar transistors. Sensors. 2024;24(22):7130.
https://doi.org/10.3390/s24227130
4. Ionychev V. K., Shesterkina A. A. Effect of deep centers on the statistical delay of microplasma breakdown in gallium-arsenide light-emitting diodes. Semiconductors. 2018;52:1072–1076.
https://doi.org/10.1134/S1063782618080080
5. Шашкина А. С. Самоподобие тока при микроплазменном пробое полупроводниковых структур. In: Необратимые процессы в природе и технике: труды Двенадцатой Всерос. конф. (Москва, 31 янв. – 3 февр. 2023 г.): в 2 т. Т. 1. М.: Изд-во МГУ; 2023, с. 261–264. EDN: LSTIIR.
Shashkina A. S. Current self-similarity at semiconductor structures microplasma breakdown. In: Neobratimyye protsessy v prirode i tekhnike = Irreversible Processes in Nature and Technology: proceedings of Twelfth Russia-wide conf. (Moscow, Jan. 31 – Feb. 03, 2023), in 2 vol. Moscow: Izd-vo MGU; 2023, vol. 1, pp. 261–264. (In Russ.).
6. Велещук В. П., Власенко А. И., Киселюк М. П., Ляшенко О. В. Микроплазменный пробой InGaN/GaN-гетероструктур мощных светодиодов. Журнал прикладной спектроскопии. 2013;80(1):121–127. EDN: PMCGCH.
Veleschuk V. P., Vlasenko A. I., Kisselyuk M. P., Lyashenko O. V. Microplasma breakdown of InGaN/GaN heterostructures in high-power light-emitting diodes. J. Appl. Spectrosc. 2013:80(1):117–123.
https://doi.org/10.1007/s10812-013-9730-7
7. Казанков А. А., Сергеев В. А., Фролов И. В., Радаев О. А. Алгоритм определения параметров флуктуаций свечения микроплазм полупроводниковых приборов в режиме пробоя. In: Математика и математическое моделирование: сб. материалов XVIII Всерос. молод. науч.-иннов. школы (Саров, 10–12 апр. 2024 г.). Саров: Интерконтакт; 2024, с. 311–312. EDN: OZIYXE.
Kazankov A. A., Sergeyev V. A., Frolov I. V., Radayev O. A. Parameter definition algorithm of semiconductor devices microplasma glow fluctuations in breakdown mode. In: Matematika i matematicheskoye modelirovaniye: proceedings of 18th Russia-wide Youth sci.-innov. school (Sarov, Apr. 10–12, 2024). Sarov: Interkontakt; 2024, pp. 311–312. (In Russ.).
8. Palenskis V., Matukas J., Glemža J., Pralgauskaitė S. Review of low-frequency noise properties of high-power white LEDs during long-term aging. Materials. 2022;15(1):13.
https://doi.org/10.3390/ma15010013