Кубический углерод с -С (разновидность алмаза) перспективен для использования в качестве диэлектрика. Препятствующими факторами применения с -С в микроэлектронике являются экстремальные условия его формирования - давление и высокая температура, которые далеки от применяемых в производстве. При синтезе с -С прилагаемое к исходному сырью внешнее давление, а фактически сближение атомов углерода и трансформирование их электронных оболочек ведет к образованию молекулярных связей. Параметры структуры этого образования фиксируются в кристаллической решетке как отражение баланса внешней сжимающей силы и электрической (расталкивающей) силы - электронов, находящихся на орбиталях атомов. В работе приведено построение пространственной ячейки с -С (гексагональной призмы) с эллиптическими орбиталями связи атомов углерода. Описано взаимодействие зарядов - участников формирования орбитали. Рассчитана одна из связей с целью оценки давления, необходимого для сближения реагирующих атомов при образовании этой связи. Показано, что в момент сближения атомов углерода на расстояние, при котором наблюдается баланс электрических сил, расталкивающих атомы, сил сжатия, а также внешней силы, возможно образование ковалентной связи.
1. Неустроев С.А. Определение межатомных расстояний в кристаллах кубического углерода // Изв. вузов. Электроника. – 2013. – № 6 (104). – С. 82–84.
2. Краснов К.С. Молекулы и химическая связь. – М.: Высшая школа, 1984. – С. 295.
3. Неустроев С.А. Влияние упаковки на воспроизводство сингонии кристалла кубического углерода // Изв. вузов. Электроника. – 2016. – Т. 21. – № 6. – С. 515–519.
4. Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов. – М.: Мир, 1969. – С. 654.
5. Неустроев С.А., Неустроев Н.С. Теоретическое определение диэлектрической проницаемости кубического углерода // Изв. вузов. Электроника. – 2018. – Т. 23. – № 5. – С. 439–445.
6. Большая советская энциклопедия. Т.1. – 3-е изд. – М.: Изд-во Сов. энциклопедия, 1970. – С. 454.
7. Clemеnti E.А., Raimondi D.L.J. Atomic screening constants from SCF functions // Chem. Phys. – 1963. – Vol. 38. – No. 11. – P. 2686–2689.
8. Говорков В.А. Электрические и магнитные поля. – М.: Энергия, 1968. – 487 с.
9. Твердотельный автоэмиссионный диод / В.А. Беспалов, Э.А. Ильичев, А.Е. Куле-шов и др. // Письма в ЖТФ. – 2013. – Т. 39. – Вып. 4. – С. 46–50.
10. Исследование технологий формирования наноструктурированных эмиссионных сред для сильноточной радиочастотной электроники / В.А. Беспалов, Э.А. Ильичев, Е.П. Кириленко и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2014. – № 4(108). – С. 27–35.