Компенсация саморазогрева в SiGe ГБТ

Рассмотрены проблемы, связанные с саморазогревом SiGe биполярных гетеропереходных транзисторов. Предложены схемы, обеспечивающие компенсацию эффекта термоэффектов, основанные на использовании КМОП элементной базы.

• Ключевые слова: Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs), Silicon Germanium (SiGe), Thermal impedance
• Библиографическая ссылка: