1561-5405

10.24151/1561-5405

Proceedings of Universities. Electronics

Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"

Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»

1561-5405 2587-9960

National Research University of Electronic Technology

Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

621.385

Self-heating Compensation of SiGe HBT

Компенсация саморазогрева в SiGe ГБТ

Адамов Юрий Ф.

Адамов

Юрий Ф.

Adamov Yu

Adamov Yu F

Национальный исследовательский университет МИЭТ

323326

http://ivuz-e.ru/issues/3-_2015/kompensatsiya_samorazogreva_v_sige_gbt/

In this paper, self-heating problem of the SiGe HBT is described. Two schematic realizations for compensation of thermo- heated process in bipolar transistors are proposed.

Рассмотрены проблемы, связанные с саморазогревом SiGe биполярных гетеропереходных транзисторов. Предложены схемы, обеспечивающие компенсацию эффекта термоэффектов, основанные на использовании КМОП элементной базы.

Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs)Silicon Germanium (SiGe)Thermal impedance