1. Timakov A. V., Shevyakov V. I. Investigation of the electrophysical and mechanical properties of metallization based on alloys W with Re, Ti, N for high-temperature silicon VLSI // Proc. SPIE. International Conference on Micro- and Nano-Electronics. 2022. Vol. 12157. Art. ID: 1215719. https://doi.org/10.1117/12.2624348
2. Пат. 2775446 РФ. Способ получения тонких металлических пленок на основе вольфрама / В. С. Горностай-Польский, А. В. Тимаков, В. И. Шевяков; заявл. 21.12.2022; опубл. 30.06.2022, Бюл. № 19. 7 с.
3. High-temperature ICs // Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS [Электронный ресурс]. URL: https://www.ims.fraunhofer.de/en/search.html?_charset_=UTF-8&numberResults=10&page=1... (дата обращения: 20.08.2022).
4. High temperature SOI CMOS technology (H035) // Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS [Электронный ресурс]. URL: https://www.ims.fraunhofer.de/en/Business_Units_and_Core_Competencies/High-Temperature-Electronics/T... (дата обращения: 10.08.2022).
5. Effect of film deposition rate on the thermoelectric output of tungsten-rhenium thin film thermocouples by DC magnetron sputtering / B. Tian, Z. Liu, Z. Zhang et al. // J. Micromech. Microeng. 2020. Vol. 30. No. 6. Art. No. 065004. https://doi.org/10.1088/1361-6439/ab8607
6. Influence of thickness and sputtering pressure on electrical resistivity and elastic wave propagation in oriented columnar tungsten thin films / A. Chargui, R. El Beainou, A. Mosset et al. // Nanomaterials. 2020. Vol. 10. Iss. 1. Art. No. 81. https://doi.org/10.3390/nano10010081
7. Белов А. Н., Голишников А. А., Костюков Д. А., Шевяков В. И. Металлизация высокотемпературных кремниевых ИС на основе сплава вольфрама с титаном // Изв. вузов. Электроника. 2019. Т. 24. № 1. С. 22–29. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2019-24-1-22-29
8. Effect of heat treatment on thermoelectric properties of tungsten-rhenium thin-film thermocouples by RF magnetron sputtering / Z. Zhang, B. Tian, Z. Du et al. // AIP Advances. 2018. Vol. 8. Iss. 12. Art. No. 125113. https://doi.org/10.1063/1.5074126
9. Пат. 2611098 РФ. Способ формирования системы многоуровневой металлизации на основе вольфрама для высокотемпературных интегральных микросхем / А. С. Бенедиктов, П. В. Игнатов, В. А. Гвоздев; заявл. 09.12.2015; опубл. 21.02.2017, Бюл. № 6. 10 с.
10. Measurement study of residual stress on tungsten-rhenium thin film thermocouples by nanoindentation technology / B. Tian, Q. Yu, Z. Zhang et al. // 2017 IEEE 12th International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems (NEMS). Los Angeles, CA: IEEE, 2017. P. 800–803. https://doi.org/10.1109/NEMS.2017.8017139
11. Choi D., Barmak K. On the potential of tungsten as next-generation semiconductor interconnects // Electron. Mater. Lett. 2017. Vol. 13. Iss. 5. P. 449–456. https://doi.org/10.1007/s13391-017-1610-5
12. Tungsten alloyed with rhenium as an advanced material for heat-resistant silicon ICs interconnects / A. N. Belov, Yu. A. Chaplygin, A. A. Golishnikov et al. // Proc. SPIE. International Conference on Micro- and Nano-Electronics. 2016. Vol. 10224. Art. ID: 1022404. https://doi.org/10.1117/12.2264789
13. Многоуровневая металлизация для высокотемпературной микроэлектроники / С. И. Бабкин, С. И. Волков, К. С. Есенкин и др. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2016. № 2 (241). C. 33–44.
14. Watson J., Castro G. A review of high-temperature electronics technology and applications // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2015. Vol. 26. Iss. 12. P. 9226–9235. https://doi.org/10.1007/s10854-015-3459-4
15. Watson J., Castro G. High-temperature electronics pose design and reliability challenges // Analog Dialogue. 2012. Vol. 46 (2). P. 3–9.
16. Старосельский В. И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники. М.: Юрайт: Высшее образование, 2009. 463 с.
17. Shoucair F. S. Potential and problems of high-temperature electronics and CMOS integrated circuits (25–250 °C) – an overview // Microelectronics Journal. 1991. Vol. 22. Iss. 2. P. 39–54. https://doi.org/10.1016/0026-2692(91)90024-H
18. Громов Д. Г., Мочалов А. И., Сулимин А. Д., Шевяков В. И. Металлизация ультрабольших интегральных схем. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. 277 с.
19. Горностай-Польский В. С., Шевяков В. И. Исследование влияния плазменной обработки на свойства сформированных химическим осаждением из газовой фазы тонких пленок нитрида титана // Изв. вузов. Электроника. 2022. Т. 27. № 6. С. 715–722. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-6-715-722
20. Пат. 2352684 РФ. Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления и способ ее получения / В. Г. Глебовский, Е. Д. Штинов, О. С. Кочетов; заявл. 03.08.2007; опубл. 20.04.2009, Бюл. № 11. 8 с.
21. Пат. 2454481 РФ. Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам – титан – кремний / В. Г. Глебовский; заявл. 03.06.2010; опубл. 27.06.2012, Бюл. № 18. 6 с.
22. Пат. 2454482 РФ. Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам – титан – рений / В. Г. Глебовский; заявл. 03.06.2010; опубл. 27.06.2012, Бюл. № 18. 6 с.
23. Safonov S. O., Bespalov V. P., Golishnikov А. А., Putrya M. G. Estimating the reliability of aluminum metallization of integrated circuits by accelerated electromigration testing at constant temperature // Russ. Microelectron. 2015. Vol. 44. Iss. 7. P. 453–459. https://doi.org/10.1134/S1063739715070148
24. Высоковольтные LDMOS транзисторы на КНИ структуре для экстремальной электроники / С. И. Бабкин, С. И. Волков, А. А. Глушко и др. // Микроэлектроника. 2020. T. 49. № 4. С. 304–313. https://doi.org/10.31857/S0544126920030023
25. Сплавы тугоплавких металлов. URL: https://studref.com/350287/tehnika/splavy_tugoplavkih_metallov (дата обращения: 20.09.2022).
26. Gromov D. G., Mochalov A. I., Pugachevich V. P., Sorokin I. N. Interaction between binary alloy thin films and silicon substrate: The conditions of bilayer formation and the effect of additional component // Appl. Phys. A. 2000. Vol. 70. P. 333–340. https://doi.org/10.1007/s003390050056