1. Анализаторы параметров полупроводниковых приборов: Измерение IV-CV c использованием модулей MFCMU и SCUU анализатора B1500A // Америт [Электронный ресурс]. 08.06.2021. URL: http://www.amerit.nnov.ru/uploads/lib/Keysight_catalog_2021.pdf (дата обращения: 01.02.2023).
2. Keysight B1500A: Анализатор полупроводниковых приборов // Америт [Электронный ресурс]. 03.08.2014. URL: http://www.amerit.nnov.ru/uploads/lib/K5991-2443RURU_Анализатор%20полупроводниковых%20приборов.pdf (дата обращения: 01.02.2023).
3. Keysight: Измерители RLC E4980A, E4980AL, E4990A // КТМ [Электронный ресурс]. URL: https://kiptm.ru/produktsiya/keysight-produktsiya/keysight-izmeriteli-rlc (дата обращения: 01.02.2023).
4. Параметрический анализатор Keithley 4200A-SCS // Tektronix [Электронный ресурс]. URL: https://www.tek.com/ru/products/keithley/4200a-scs-parameter-analyzer (дата обращения: 26.11.2022).
5. LCR-78110G – измеритель параметров RLC цифровой // Электронприбор [Электронный ресурс]. URL: https://www.electronpribor.ru/catalog/53/lcr-78110g.htm (дата обращения: 26.11.2022).
6. Измеритель иммитанса Е7-20 // МНИПИ [Электронный ресурс]. URL: http://mnipi.com/catalog/izmeriteli-immitansa-rlc/izmeritel-immitansa-e7-20.html (дата обращения: 03.02.2023).
7. Бахвалова С. А., Спиридонов А. Б., Фастовец А. А., Серегин В. В. Моделирование МДП-варикапа с переносом заряда в программной среде ADS // Изв. вузов. Электроника. 2020. Т. 25. № 2. С. 183–188. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2020-25-2-183-188
8. Мельник Н. Н., Трегулов В. В., Рыбин Н. Б., Иванов А. И. Особенности строения приповерхностной области полупроводниковой структуры, сформированной металл-стимулированным травлением монокристаллического кремния // Краткие сообщения по физике ФИАН. 2019. № 10. С. 39–45.
9. Влияние дефектов с глубокими уровнями на C-V-характеристики мощных AlGaN/GaN/SiC НЕМТ // К. Л. Енишерлова, Ю. В. Колковский, Е. А. Боброва и др. // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 1. С. 47–55. https://doi.org/10.1134/S0544126919010046
10. Литвинов В. Г., Литвинова В. С. Исследование вольт-фарадной характеристики точечного барьерного контакта металл-полупроводник // Вестник РГРТУ. 2020. № 73. С. 129–138. https://doi.org/10.21667/1995-4565-2020-73-129-138
11. Гончаров В. Е., Никонов А. В., Ильясов А. К., Арич О. Д. Определение толщины эпитаксиальных слоев гетеропары AlGaAs/GaAs методом электрохимического вольт-фарадного профилирования // Прикладная физика. 2019. № 3. С. 61–66.
12. Мурылева И. В., Пашинцев Ю. И., Карамышев В. П. Определение профиля концентрации основных носителей полупроводника в ОПЗ по вольт-фарадной характеристике // Микроэлектроника. 1980. Т. 9. Вып. 3. С. 236–240.
13. Карамышев В. П., Лаврищев В. П., Мурылева И. В., Панасенко П. В. Методика определения профилей распределения концентрации и подвижности носителей в проводящем слое полупроводника, расположенном на полуизолирующей подложке // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. Вып. 1. С. 9–14.
14. Карамышев В. П. Научно-технический отчет по НИР «Разработка универсальной тестовой ячейки для межоперационного контроля изготовления СВЧ ИС». М.: НИИМП, 1989.