Представлены результаты работ по созданию и оптимизации геометрии преобразователей магнитного поля на основе анизотропных магниторезистивных тонкопленочных структур. Получены преобразователи магнитного поля с нечетной характеристикой с чувствительностью до 23,7 (мВ/В)/(кА/м) и 180-градусный преобразователь угла поворота с амплитудой сигнала 15 мВ/В. На основе проведенных термических испытаний показана возможность эксплуатации разработанных преобразователей в жестких внешних условиях в диапазоне температур от -60 до +150 °С, температурный коэффициент чувствительности при этом составляет -0,35 %/°С. Полученные преобразователи апробированы в датчиках угла поворота, оборотов и фазы в автомобильной промышленности. Характеристики разработанных преобразователей показали соответствие аналогам ведущих мировых фирм.
1. Перенос спинов и микроволновые автоколебания в магнитных гетероструктурах с гигантским магнитосопротивлением / В.И. Корнеев, А.Ф. Попков, Г.Д. Демин и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2011. – № 5 (91). – C. 5–17.
2. Dibbern U. Magnetoresistive sensors // Sensors. A comprehensive survey / Ed. W.G Gopel, J. Hesse, J.N. Zemel. – N. Y.: VCH, 1989. – P. 341–380.
3. Mapps D.J. Magnetoresistive sensor // Sensors and Actuators A: Physical. – 1997. – Vol. 59. – P. 9–19.
4. Hauser H., Stangl G., Janiba M., Giouroudi I. Measurements, technology and layout of sensitive anisotropic magnetoresistive sensors // J. of Electrical Engineering. – 2006. – Vol. 57. – No. 8/s. – P. 171–174.
5. B. Dieny Giant magnetoresistance in spin-valve multilayers // J. of Magnetism and Magnetic Materials. – 1994. – Vol. 136, N. 3. – P. 335–359.
6. Болтаев А.П., Пудонин Ф.А., Шерстнев И.А. Особенности магнитосопротивления многослойных систем магнитных наноостровков в слабых магнитных полях // ФТТ. – 2011. – Т. 53. – № 5. – С. 892–898.
7. Boltaev A.P., Pudonin F.A., Sherstnev I.A. Conductance of island and granular metal films // Solid State Communications. – 2014. – Vol. 180. – P. 39–43.
8. Тимошенков С.П., Кульчицкий А.П. Применение МЭМС-сенсоров в системах навигации и ориентации подвижных объектов // Изв. вузов. Электроника. – 2012. – № 6 (98). – C. 51–74.
9. Магниторезистивные структуры в устройствах наноэлектроники и микросистемной техники / В.А. Беспалов, Н.А. Дюжев, А.Ф. Попков и др. // Нанотехнологии в электронике. Вып. 2. – М.: Техносфера, 2013. – С. 531–591.
10. Особенности применения магниторезистивных наноструктур в датчиках автомобильных электронных систем / В.А. Беспалов, Н.А. Дюжев, А.С. Юров и др. // Нано- и микросистемная техника. – 2013. – №. 11. – C. 48–54.
11. www.nxp.com (дата обращения: 26.07.2014)
12. www.honeywell.com/magneticsensors (дата обращения: 26.07.2014)
13. Magnetic field sensors data sheet. – URL: www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/17838/PHILIPS/KMZ10Al.html (дата обращения: 26.07.2014)
14. http://www.npoit.ru/products?view=item&item;_id=134 (дата обращения: 26.07.2014)
15. Анизотропные магниторезистивные преобразователи на основе магниторезистивных наноструктур с различным содержанием кобальта / А.А. Резнев, В.В. Амеличев, С.И. Касаткин и др. // Нано- и микросистемная техника. – 2010. – Т. 115. – №. 2. – С. 22–24.