Предложен новый метод определения электромиграционных параметров - энергии активации и показателя плотности тока. Для проведения испытаний использовались многослойные металлические проводники TiN/Al-Si(1%)/TiN с пассивирующим слоем SiO. Разработанный метод позволяет ускорить и удешевить процесс проведения электромиграционных испытаний за счет отказа от корпусирования образцов и использования высокотемпературных климатических камер.
1. Сафонов С.О., Беспалов В.П., Голишников А.А., Путря М.Г. Оценка надежности алюминиевой металлизации интегральных схем при проведении ускоренных электромиграционных испытаний при постоянной температуре // Изв. вузов. Электроника. – 2014. – № 3 (107). – C. 21–29.
2. Federspiel X. Electromigration testing and evaluation apparatus and methods // Patent 1978371A, European patent, G 01 R 31/28. – Date of publication 08.10.2008.
3. JESD63. Standart method for calculating the electromigration model parameters for current density and temperature. – EIA/JEDEC. – February, 1998. – P. 35. – URL: http://www.jedec.org/ (дата обращения: 07.03.2005).
4. JESD61A.01. Isothermal electromigration test procedure. – EIA/JEDEC. – October, 2007. – P. 40. – URL: http://www.jedec.org/ (дата обращения: 14.07.2011).
5. JESD33B. Standard method for measuring and using the temperature coefficient of resistance to determine the temperature of a metallization line. – JEDEC. – February, 2004. – URL: http://www.jedec.org/, (дата обращения: 13.06.2013).
6. Doan J.C., Bravman J.C., Flinn P.A., Marieb T.N. The relationship between resistance changes and void volume changes in passivated aluminum interconnects // IEEE Annual International Reliability Physics Symposium. – 1999. – 37th, Cat. No. 99CH36296. – P. 206–212.
7. Капур К., Ламберсон Л. Надежность и проектирование систем: пер. с англ. / Под ред. И.А. Ушакова, Е.Г. Коваленко. – М.: Мир, 1980. – 608 с.
8. Reliability wearout mechanisms in advanced CMOS technologies / A.W. Strong, E.Y. Wu, R.-P. Vollertsen et al. // IEEE-Wiley. – 2009. – Ch. 7. – P. 565–589.
9. Lloyd J.R. Electromigration in integrated circuit conductors // J. Phys. D: Appl. Phys. – 1999. – Vol. 32. – № 17. – P. R109–R118.
10. Hu C.K., Small M.B., Ho P.S. Electromigration in Al(Cu) twolevel structures: effect of Cu and kinetics of damage formation // J. Appl. Phys. – 1993. – Vol. 74. – № 2. – P. 969–978.
11. Blech I.A. Electromigration in thin aluminum films on titanium nitride // J. Appl. Phys. – 1976. – Vol. 47. – № 4. – P. 1203–1208.
12. Frye R., Liu K., Aung K.O., Chelvam M.P. Electromigration measurements in thin-film IPD and eWLB interconnections // ECTC IEEE. – 2012. – 62nd. – P.1304–1311.
13. Van Gurp G. J. Electromigration in Al films containing Si // Appl. Phys. Lett. – 1971. – Vol. 19. – № 11. – P.476–478.