Предложена формализованная методика автоматизированного проектирования схемы источника опорного напряжения, определяемого шириной запрещенной зоны. Отличительной особенностью методики является автоматизация процесса синтеза схемотехнических представлений по заданным параметрам источника, что существенно сокращает сроки проектирования. На основе разработанной методики по технологии КНИ 180 нм спроектирована схема источника опорного напряжения. Полученное схемотехническое решение имеет следующие требуемые характеристики: подавление помехи по питанию на частоте 1 кГц и 1 МГц в худшем случае -60 дБ и -44 дБ соответственно, максимальный потребляемый ток 25 мкА, температурный коэффициент 24 ppm/°C в области температур от -70 до 150 °С, отношение изменения выходного напряжения к изменению напряжения питания 354 мкВ/В в диапазоне напряжения питания 2,4-7 В.
1. Рябченков С.С. Методика проектирования прецизионных источников опорного напряжения // Изв. вузов. Электроника. – 2004. – №3. – С. 36–40.
2. Liu Bo, Gielen G., Fernández F.V. Automated design of analog and high-frequency circuits : a computational intelligence approach. – Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2014. – 235 p.
3. Макаров А.Б., Кочкин И.П. Технологическая миграция источников опорного напряжения на основе ширины запрещенной зоны кремния // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010: сб. тр. / Под общ. ред. академика А.Л. Стемпковского. – М.: ИППМ РАН, 2010. – С. 547–552.
4. Shopan din Ahmad Hafiz, Md. Shafiullah, Shamsul Azam Chowdhury Design of a Simple CMOS Bandgap Reference // International Journal of Electrical & Computer Sciences. – 2010. – October. – P. 6–9.
5. Rincon-Mora A. Voltage References From Diodes to Precision High-Ordered Bandgap Circuits. – IEEE Press, 2002. – 184 p.
6. Эннс В.И., Кобзев Ю.М. Проектирование аналоговых КМОП-микросхем. Краткий справочник разработчика. – М.: Горячая линия – Телеком, 2005. – 456 с.