Представлен новый метод автоматизированного оснащения системы на кристалле агентами внесения неисправностей типа «одиночный сбой» для блоков встроенной памяти. Метод основан на использовании гибридных моделей устройств и может быть применен на этапе прототипирования для любых маршрутов проектирования и форматов исходных описаний. Тестирование на системе с процессором OpenRISC1200 показало высокое быстродействие и существенную экономию накладных расходов на дополнительные аппаратные ресурсы кристалла при использовании данного метода.
1. Максименко С.Л., Мелехин В.Ф., Филиппов А.С. Анализ проблемы построения радиационно-стойких информационно-управляющих систем // Информационно-управляющие системы. – 2012. – № 2. – С. 18–25.
2. Fault injection and dependability evaluation of fault-tolerant systems / J. Arlat et al. // IEEE Transactions on Computers. – 1993. – Vol. 42. – P.913–923.
3. Benso A., DiCarlo S. The art of fault injection // J. of Control Engineering and Applied Informatics. – 2011. – Vol. 13. – P.9–18.
4. A new approach to accelerate SEU sensitivity evaluation in circuits with embedded mem-ories / M. Portela-Garcia et al. // Proc. SPIE VLSI Circuits and Systems IV. – 2009. – Vol. 7363.
5. Мамутова О.В. Использование встроенного процессора для управления эмуляци-ей внесения неисправностей типа «сбой» в блоки памяти // Университетский научный журнал. – 2013. – Вып. 5. – С. 185–193.
6. Kenney J. Using a processor-driven test bench for functional verification of embedded SoCs // All configurable systems development articles. – Oct. – 2006.
7. Microprocessor software-based self-testing / M. Psarakis et al. // Design & Test of Com-puters. – 2010. – Vol. 27. – P. 4–19.
8. Dutton B.F., Ali M., Stroud C.E., Sunwoo J. Embedded processor based fault injection and SEU emulation for FPGAs // Proc. Embedded Systems and Applications. – 2009. – P. 183–189.
9. Ненашев О.В. Расширяемый инструментарий для автоматизации реинжиниринга цифровых систем на кристалле // Университетский научный журнал. – 2013. – Вып. 5. – С. 194–203.