Исследовано влияние морфологии границ раздела структур типа металл-сегнетоэлектрик-металл на их электрофизические характеристики. Проведены экспериментальные исследования влияния буферных слоев, а также методов напыления электрода на морфологию сегнетоэлектрической пленки. Теоретический анализ диэлектрических свойств проведен на основе экспериментальных данных для гетероструктур, однако итоговая оценка проведена с помощью методов математического моделирования.
Яковлев Виктор Борисович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия; Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, г. Москва, Россия
1. Сигов А.С., Мишина Е.Д., Мухортов В.М. Тонкие сегнетоэлектрические пленки: получение и перспективы интеграции // ФТТ. – 2010. – Т. 52, вып. 4. – С. 709–717.
2. Setter N. Electroceramic-based MEMS: fabrication-technology and applications. – Berlin: Springer-Verlag, 2005. – 414 p.
3. Functional metal oxide nanostructures / J. Wu, J. Cao, W.-Q.Han et al. // Berlin: Springer-Verlag,
2012. – 372 p.
4. Okuyama M., Ishibashi Y. Ferroelectric thin films. – Berlin: Springer-Verlag, 2005. – 244 p.
5. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Ю.А.Чаплыгина. – М.: Техносфера, 2005. – 448 с.
6. Roshchin V.M., Yakovlev V.B., Silibin M.V., Lovyagina M.S. Study of properties of na-noscale lead zirconate titanate films//Semiconductors. – 2008. – Vol. 42. – N 13. – P. 1492–1495.
7. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. – М.: Наука, 1995. – 302 с.
8. Tichý J., Erhart J., Kittinger E., Pˇrívratská J. Fundamentals of piezoelectric sensorics. – Berlin: Springer-Verlag, 2010. – 211 p.
9. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы: пер. с англ. под ред. В.В. Леманова и Г.А. Смоленского. – М.: Мир, 1981. – 736 с.
10. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применения в элек-тронике. – М.: Радио и связь, 1989. – 288 с.
11. Pelliccione M., Lu T.-M. Evolution of thin film morphology modeling and simulations. – Berlin: Springer-Verlag, 2008. – 205 p.
12. Воротилов К.А., Жигалина О.М., Сигов А.С. Особенности формирования кри-сталлической структуры ЦТС в системах Si-SiO2-Ti (TiO2)-Pt-ЦТС // ФТТ. – 2009. – Т. 51, вып. 7. – С. 1268–1271.