The influence of morphology of metal-ferroelectric-metal interfaces structures on their electric properties has been investigated. The experimental researches of buffer layers influence and the methods of the electrode deposition on the morphology on the ferroelectric film have been conducted. The theoretical analysis of the dielectric properties has been performed on the basis of the experimental data for heterostructures, however, the final assessment has been made using the mathematical modeling methods.
1. Сигов А.С., Мишина Е.Д., Мухортов В.М. Тонкие сегнетоэлектрические пленки: получение и перспективы интеграции // ФТТ. – 2010. – Т. 52, вып. 4. – С. 709–717.
2. Setter N. Electroceramic-based MEMS: fabrication-technology and applications. – Berlin: Springer-Verlag, 2005. – 414 p.
3. Functional metal oxide nanostructures / J. Wu, J. Cao, W.-Q.Han et al. // Berlin: Springer-Verlag,
2012. – 372 p.
4. Okuyama M., Ishibashi Y. Ferroelectric thin films. – Berlin: Springer-Verlag, 2005. – 244 p.
5. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Ю.А.Чаплыгина. – М.: Техносфера, 2005. – 448 с.
6. Roshchin V.M., Yakovlev V.B., Silibin M.V., Lovyagina M.S. Study of properties of na-noscale lead zirconate titanate films//Semiconductors. – 2008. – Vol. 42. – N 13. – P. 1492–1495.
7. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. – М.: Наука, 1995. – 302 с.
8. Tichý J., Erhart J., Kittinger E., Pˇrívratská J. Fundamentals of piezoelectric sensorics. – Berlin: Springer-Verlag, 2010. – 211 p.
9. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы: пер. с англ. под ред. В.В. Леманова и Г.А. Смоленского. – М.: Мир, 1981. – 736 с.
10. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применения в элек-тронике. – М.: Радио и связь, 1989. – 288 с.
11. Pelliccione M., Lu T.-M. Evolution of thin film morphology modeling and simulations. – Berlin: Springer-Verlag, 2008. – 205 p.
12. Воротилов К.А., Жигалина О.М., Сигов А.С. Особенности формирования кри-сталлической структуры ЦТС в системах Si-SiO2-Ti (TiO2)-Pt-ЦТС // ФТТ. – 2009. – Т. 51, вып. 7. – С. 1268–1271.