1. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление / пер. с англ. М. Б. Левина, В. Г. Микуцкого. М.: Мир, 1985. 504 с.
Till W. C., Luxon J. T. Integrated circuits: Materials, devices, and fabrication. Englewood Cliffs, NJ, Prentice-Hall, 1982. x, 452 p.
2. Пат. 2799113 РФ. Способ повышения быстродействия транзисторов и транзисторных интегральных схем / С. Ш. Рехвиашвили, В. В. Нарожнов; заявл. 18.03.2022; опубл. 04.07.2023, Бюл. № 19. 9 с. EDN: LBNUKU
Rekhviashvili S. Sh., Narozhnov V. V. Method for increasing speed of transistors and transistor integrated circuits. Patent 2799113 RF, publ. 04.07.2023, Bull. no. 19. 9 p. (In Russian).
3. Володин В. Я. LTspice: компьютерное моделирование электронных схем. СПб.: БХВ-Петербург, 2010. 389 с. EDN: SDPPRL
Volodin V. Ya. LTspice: Computer simulation of electronic circuits. St. Petersburg, BKhV-Peterburg Publ., 2010. 389 p. (In Russian).
4. TTL Logic data book: Standard TTL, Schottky, low-power Schottky circuits. Rev. ed. Dallas: Texas Instruments, 1988. 1100 p.
5. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Лаб. базовых знаний, 2003. 488 с.
Stepanenko I. P. Fundamentals of microelectronics. 2nd ed., rev. and upd. Moscow, Lab. bazovykh znaniy Publ., 2003. 488 p. (In Russian).
6. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 2005. 790 с.
Gusev V. G., Gusev Yu. M. Electronics and microprocessor technology. 3rd ed., rev. and upd. Moscow, Vyssh. shk. Publ., 2005. 790 p. (In Russian).
7. Полупроводники / пер. с англ.; под ред. Н. Б. Хеннея. М.: Изд-во иностр. лит., 1962. 667 с.
Hannay N. B., ed. Semiconductors. N. Y., Reinhold, 1959. xxiii, 767 p.
8. Бородовский П. А., Булдыгин А. Ф., Токарев А. С. О некоторых эффектах, наблюдаемых при СВЧ-измерениях времени жизни в слитках кремния // Микроэлектроника. 2006. Т. 35. № 6. С. 403-408. EDN: HZFTHV
Borodovskii P. A., Buldygin A. F., Tokarev A. S. Anomalous photoconductivity decay observed in microwave measurements of carrier lifetime in silicon ingots. Russ. Microelectron., 2006, vol. 35, iss. 6, pp. 345–349.
https://doi.org/10.1134/S1063739706060011
9. Бородовский П. А., Булдыгин А. Ф., Голод С. В. Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции // ФТП. 2009. Т. 43. № 3. С. 329-331. EDN: RCPWYT
Borodovskii P. A., Buldygin A. F., Golod S. V. Anomalous relaxation of photoconductivity in silicon at high excitation levels. Semiconductors, 2009, vol. 43, iss. 3, pp. 310–312.
https://doi.org/10.1134/S1063782609030099
10. Measurement of photo capacitance in amorphous silicon photodiodes / D. Gonçalves, L. M. Fernandes, P. Louro et al. // Technological innovation for the Internet of Things: 4th IFIP WG 5.5/SOCOLNET doctoral conference on computing, electrical and industrial systems (DoCEIS 2013). Berlin; Heidelberg: Springer, 2013. P. 547-554. DOI: 10.1007/978-3-642-37291-9_59