Исследование стабильности свойств низкотемпературных наноструктурированных термоэлектрических материалов на основе BiTeSe и BiSbTe

Исследование стабильности свойств низкотемпературных наноструктурированных термоэлектрических материалов на основе BiTeSe и BiSbTe

Раздел находится в стадии актуализации

Перспективным методом повышения эффективности термоэлектрических преобразователей энергии как источников альтернативной энергии является наноструктурирование термоэлектрических материалов, используемых для изготовления термоэлементов. Широкому распространению термоэлектрических устройств препятствует их низкая эффективность, которая определяется термоэлектрической добротностью ZT термоэлектрических материалов. В работе исследована стабильность свойств низкотемпературных наноструктурированных термоэлектрических материалов на основе твердых растворов Bi2Te2,8Se0,2 (0,16 масс. % CdCl2) n-типа и Bi0,5Sb1,5Те3 (2,2 масс. % Те и 0,16 масс. % TeI4) p-типа, полученных в результате измельчения в планетарной шаровой мельнице и последующего компактирования методом искрового плазменного спекания. Термоэлектрические материалы Bi2Te2,8Se0,2 и Bi0,5Sb1,5Те3 имеют высокие максимальные значения термоэлектрической добротности ZT, равные 1,17 и 1,23 соответственно. Термическая стабильность свойств материалов Bi2Te2,8Se0,2 и Bi0,5Sb1,5Те3 исследована с помощью многократных измерений методами дифференциальной сканирующей калориметрии и термогравиметрии. Получены термоэлектрические и электрофизические характеристики термоэлектрических материалов при температурах до 500 К. Установлено, что наноструктурирование не оказывает существенного влияния на термическую стабильность исследованных низкотемпературных наноструктурированных термоэлектрических материалов.
  • Ключевые слова: термоэлектричество, термические свойства, стабильность, термоэлектрический генератор
  • Опубликовано в разделе: Mатериалы электроники
  • Библиографическая ссылка: Штерн М. Ю., Шерченков А. А., Штерн Ю. И., Бабич А. В., Рогачев М. С., Бабич Т. А., Марончук И. И. Исследование стабильности свойств низкотемпературных наноструктурированных термоэлектрических материалов на основе BiTeSe и BiSbTe. Изв. вузов. Электроника. 2025;30(2):140–148. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2025-30-2-140-148. EDN: DAVIGM.
  • Источник финансирования: работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России в рамках государственного задания (Соглашение FSMR-2023-0014).
Штерн Максим Юрьевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Шерченков Алексей Анатольевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Штерн Юрий Исаакович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Бабич Алексей Вальтерович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Рогачев Максим Сергеевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Бабич Татьяна Александровна
Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Марончук Игорь Игоревич
кандидат технических наук, начальник участка АО «Оптрон» (Россия, 105187, г. Москва, ул. Щербаковская, 53)

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru