TCAD-моделирование транзистора со статической индукцией

1. Бономорский О. И., Кюрегян А. С., Горбатюк А. В., Иванов Б. В. Сравнительный анализ статических характеристик биполярных транзисторов с изолированным затвором и тиристоров с полевым управлением // Электротехника. 2015. № 2. С. 51a-56. EDN: TGTMIZ
Bonomorskii O. I., Kyuregyan A. S., Gorbatyuk A. V., Ivanov B. V. Comparative analysis of static characteristics of insulated gate bipolar transistors and thyristors with static induction. Russ. Electr. Engin., 2015, vol. 86, iss. 2, pp. 93–97. https://doi.org/10.3103/S1068371215020042 

2. Кюрегян А. С., Горбатюк А. В., Иванов Б. В. Сравнение средних по времени потерь мощности в биполярных транзисторах с изолированным затвором и комбинированных СИТ-МОП-транзисторах // Электротехника. 2017. № 2. С. 52-56. EDN: XSDLUT
Kyuregyan A. S., Gorbatyuk A. V., Ivanov B. V. A comparison of time-average power losses in insulated-gate bipolar transistors and hybrid SIT–MOS–transistors. Russ. Electr. Engin., 2017, vol. 88, iss. 2, pp. 77–80. https://doi.org/10.3103/S1068371217020043

3. Improvement on the dynamical performance of a power bipolar static induction transistor with a buried gate structure / Y. Wang, J. Feng, C. Liu et al. //j. Semicond. 2011. Vol. 32. No. 11. Art. No. 114005. DOI: 10.1088/1674-4926/32/11/114005

4. Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor (BSIT) with buried gate structure / Y. Wang, J. Feng, C. Liu et al. // Sci. China Inf. Sci. 2012. Vol. 55. Iss. 4. P. 962-970. DOI: 10.1007/s11432-011-4523-1

5. Казалиева Э., Шахмаева А. Р. Обеспечение надежности работы биполярного со статической индукцией (БСИТ) транзистора // Техника и технология современных производств: сб. ст. III Всерос. науч.-практ. конф. (Пенза, 25-26 апр. 2022) / под науч. ред. В. А. Скрябина, А. Е. Зверовщикова. Пенза: ПГАУ, 2022. С. 41-45. EDN: KDYUFQ
Kazalieva E., Shakhmayeva A. R. Ensuring the reliability of the bipolar with static induction (SIT) transistor. Tekhnika i tekhnologiya sovremennykh proizvodstv, collected papers of the 3rd Russia-Wide res.-to-pract. conf. (Penza, Apr. 25–26, 2022), acad. eds V. A. Skryabin, A. E. Zverovshchikov. Penza, Penza State Agrarian Univ., 2022, pp. 41–45. (In Russian).

6. Yamaguchi K., Toyabe Т., Kodera H. Two-dimensional analysis of vertical junction gate FET's // Jpn. J. Appl. Phys. 1976. Vol. 15. No. S1. P. 163-170. DOI: 10.7567/JJAPS.15S1.163

7. Yamaguchi K., Kodera H. Optimum design of triode-like JFET's by two-dimensional computer simulation // IEEE Transactions on Electron Devices. 1977. Vоl. 24. Iss. 8. P. 1061-1069. DOI: 10.1109/T-ED.1977.18877

8. Горбатюк А. В., Грехов И. В. Теория блокирующего состояния тиристора с электростатическим управлением (ТЭУ) // ФТП. 1981. T. 15. № 7. С. 1353-1358.
Gorbatyuk A. V., Grekhov I. V. Theory of the blocking state of a thyristor with electrostatic control (TEC). Fizika i tekhnika poluprovodnikov = Sov. Phys. Semicond., 1981, vol. 15, no. 7, pp. 1353–1358. (In Russian).

9. Бичурин М. И., Букашев Ф. И., Петров В. М. SPICE-модели биполярных транзисторов со статической индукцией // Современные наукоемкие технологии. 2005. № 3. С. 50-51. EDN: JJYNVN
Bichurin M. I., Bukashev F. I., Petrov V. M. SPICE models of bipolar transistors with static induction. Sovremennyye naukoyemkiye tekhnologii = Modern High Technologies, 2005, no. 3, pp. 50–51. (In Russian).

10. Дудар Н. Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией // Доклады БГУИР. 2005. № 2 (10). С. 79-85.
Dudar N. L. Simulation of a Si based static induction transistor. Doklady BGUIR, 2005, no. 2 (10), pp. 79–85. (In Russian).

11. Лагунович Н. Л., Борздов В. М., Турцевич А. С. Усовершенствование технологического маршрута изготовления и приборно-технологическое моделирование биполярного транзистора со статической индукцией // Доклады БГУИР. 2017. № 3 (105). С. 70-77. EDN: ZDINHN
Lagunovich N. L., Borzdov V. M., Turtsevich A. S. The improvement of process flow making bipolar static induction transistor and its device-process simulation. Doklady BGUIR, 2017, no. 3 (105), pp. 70–77. (In Russian).

12. Шахмаева А. Р., Захарова П. Р. Применение САПР SYNOPSYS для моделирования БСИТ-транзистора // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов: тр. VIII Междунар. конф. (Алматы, 9-10 июня 2011). Курск: Юго-Западный гос. ун-т, 2011. С. 823-828.
Shakhmayeva A. R., Zakharova P. R. Application of a TCAD SYNOPSYS for simulation of the BSIT transistor. Perspektivnyye tekhnologii, oborudovaniye i analiticheskiye sistemy dlya materialovedeniya i nanomaterialov, works of the 8th International conf. (Almaty, June 9–10, 2011). Kursk, Southwest State Univ., 2011, pp. 823–828. (In Russian).

13. Шахмаева А. Р., Шангереева Б. А., Захарова П. Р. Разработка конструктивно-технологических решений создания БСИТ-транзисторов с применением средств приборно-технологического моделирования // Актуальные направления фундаментальных и прикладных исследований: материалы IV Междунар. науч.-практ. конф. (North Charleston, 4-5 авг. 2014). North Charleston: CreateSpace Independent Publ., 2014. С. 172-174. EDN: TDJNDR
Shakhmayeva A. R., Shangereyeva B. A., Zakharova P. R. Development of constructive technology solutions of creation of BSIT transistors using means of instrumental and technological simulation. Aktual’nyye napravleniya fundamental’nykh i prikladnykh issledovaniy, proceeding of 4th International res.-to-pract. conf. (North Charleston, Aug. 4–5, 2014). North Charleston, CreateSpace Independent Publ., 2014, pp. 172–174. (In Russian).

14. Максименко Ю., Грабежова В. Приборы со статической индукцией // Современная электроника. 2023. № 3. С. 16-24.
Maksimenko Yu., Grabezhova V. Devices with static induction. Sovremennaya elektronika, 2023, no. 3, pp. 16–24. (In Russian).

15. Максименко Ю. Н. Транзистор со статической индукцией КП926 с повышенным быстродействием // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2022. № 3 (266). С. 51-54. -. DOI: 10.36845/2073-8250-2022-266-3-51-54 EDN: CASSYE
Maksimenko Yu. N. Static induction transistor KP926 with increased speed. Elektronnaya tekhnika. Ser. 2. Poluprovodnikovye pribory = Electronic Technology. Series 2. Semiconductor Devices, 2022,
no. 3 (266), pp. 51–54. (In Russian). https://doi.org/10.36845/2073-8250-2022-266-3-51-54

16. Максименко Ю. Н., Грабежова В. К. Можно ли сделать идеальный полупроводниковый ключ? // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2023. № 1 (268). С. 45-53. -. DOI: 10.36845/2073-8250-2023-268-1-45-53 EDN: HKOHQW
Maksimenko Yu. N., Grabezhova V. K. Is it possible to make perfect switch? Elektronnaya tekhnika. Ser. 2. Poluprovodnikovye pribory = Electronic Technology. Series 2. Semiconductor Devices, 2023, no. 1 (268), pp. 45–53. (In Russian). https://doi.org/10.36845/2073-8250-2023-268-1-45-53

17. Максименко Ю. Н., Грабежова В. К. Новая технологическая схема формирования структуры кристалла транзистора со статической индукцией КП926 // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2023. № 2 (269). С. 54-60. -. DOI: 10.36845/2073-8250-2023-269-2-54-60 EDN: MMTJES
Maksimenko Yu. N., Grabezhova V. K. A new technological scheme for the formation of the crystal structure of a transistor with static induction KP926. Elektronnaya tekhnika. Ser. 2. Poluprovodnikovye pribory = Electronic Technology. Series 2. Semiconductor Devices, 2023, no. 2 (269), pp. 54–60. (In Russian). https://doi.org/10.36845/2073-8250-2023-269-2-54-60

18. Al-Sa'Di M., Fregonese S., Maneux C., Zimmer Th. TCAD modeling of NPN-Si-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer // Mater. Sci. Semicond. Process. 2010. Vol. 13. Iss. 5-6. P. 344-348. DOI: 10.1016/j.mssp.2011.03.002