Импульсное лазерное осаждение монокристаллических пленок сплава Гейслера СoFeMnSi на подложке MgO

1. Heusler alloys for spintronic devices: Review on recent development and future perspectives / K. Elphick, W. Frost, M. Samiepour et al. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2021. Vol. 22. Iss. 1. P. 235–271. https://doi.org/10.1080/14686996.2020.1812364

2. Rani D., Bainsla L., Ablam A., Suresh K. G. Spin-gapless semiconductors: Fundamental and applied aspects // J. Appl. Phys. 2020. Vol. 128. Iss. 22. Art. No. 220902. https://doi.org/10.1063/5.0028918

3. Han J., Feng Y., Yao K., Gao G. Y. Spin transport properties based on spin gapless semiconductor CoFeMnSi // Appl. Phys. Lett. 2017. Vol. 111. Iss. 13. Art. No. 132402. https://doi.org/10.1063/1.4999288

4. Investigation of spin gapless semiconducting behavior in quaternary CoFeMnSi Heusler alloy thin films on Si(100) / V. Mishra, V. Barwal, L. Pandey et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2022. Vol. 547. Art. ID: 168837. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2021.168837

5. Tan X., You J., Liu P.-F., Wang Y. Theoretical study of the electronic, magnetic, mechanical and thermodynamic properties of the spin gapless semiconductor CoFeMnSi // Crystals. 2019. Vol. 9. Iss. 12. Art. No. 678. https://doi.org/10.3390/cryst9120678

6. Magnetic tunnel junction with an equiatomic quaternary CoFeMnSi Heusler alloy electrode / L. Bainsla, K. Z. Suzuki, M. Tsujikawa et al. // Appl. Phys. Lett. 2018. Vol. 112. Iss. 5. Art. No. 052403. https://doi.org/10.1063/1.5002763

7. Фетисов Ю. К., Сигов А. С. Спинтроника: физические основы и устройства // РЭНСИТ. 2018. Т. 10. № 3. С. 343–356.

8. Chemical and structural analysis on magnetic tunnel junctions using a decelerated scanning electron beam / E. Jackson, M. Sun, T. Kubota et al. // Sci. Rep. 2018. Vol. 8. Art. No. 7585. https://doi.org/10.1038/s41598-018-25638-8

9. Investigation of perpendicular magnetic anisotropy in CoFeMnSi based heterostructures / L. Saravanan, V. Mishra, L. Pandey et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2022. Vol. 561. Art. ID: 169693. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2022.169693

10. Structures, magnetism and transport properties of the potential spin-gapless semiconductor CoFeMnSi alloy / H. Fu, Y. Li, L. Ma et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2019. Vol. 473. P. 16–20. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2018.10.040

11. Structural and magnetic properties of epitaxial thin films of the equiatomic quaternary CoFeMnSi Heusler alloy / L. Bainsla, R. Yilgin, J. Okabayashi et al. // Phys. Rev. B. 2017. Vol. 96. Iss. 9. Art. No. 094404. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.094404

12. Kushwaha V. K., Rani J., Tulapurkar A., Tomy C. V. Possible spin gapless semiconductor type behavior in CoFeMnSi epitaxial thin films // Appl. Phys. Lett. 2017. Vol. 11. Iss. 15. Art. No. 152407. https://doi.org/10.1063/1.4996639

13. Greer J. A. History and current status of commercial pulsed laser deposition equipment // J. Phys. D: Appl. Phys. 2014. Vol. 47. No. 3. Art. No. 034005. https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/3/034005

14. Giannuzzi L. A., Stevie F. A. A review of focused ion beam milling techniques for TEM specimen preparation // Micron. 1999. Vol. 30. Iss. 3. P. 197–204. https://doi.org/10.1016/S0968-4328(99)00005-0

15. Булаев С. А. Сущность импульсного лазерного напыления в вакууме как способа получения пленок нанометровой толщины // Вестник Казанского технологического университета. 2014. Т. 17. № 18. С. 25–28. EDN: SXYGFX.

16. Кузнецов И. А., Гараева М. Я., Мамичев Д. А., Занавескин М. Л. Формирование ультрагладких тонких пленок серебра методом импульсного лазерного осаждения // Кристаллография. 2013. Т. 58. № 5. С. 725–729. https://doi.org/10.7868/S0023476113030090. – EDN: QYNFFB.

17. Morintale E., Constantinescu C., Dinescu M. Thin films development by pulsed laser-assisted deposition // Physics AUC. 2010. Vol. 20 (1). P. 43–56.

18. Влияние процессов в факеле при лазерной абляции на удельное сопротивление и морфологию нанокристаллических пленок ZnO / О. А. Агеев, А. П. Достанко, Е. Г. Замбург и др. // Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 10. С. 2037–2042. EDN: UJMJFJ.

19. Venables J. A. Surface processes in thin film devices // Introduction to surface and thin film processes / J. A. Venables. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 2000. P. 260–296. https://doi.org/10.1017/CBO9780511755651.009

20. Growth and in situ high-pressure reflection high energy electron diffraction monitoring of oxide thin films / J. Li, W. Peng, K. Chen et al. // Sci. China Phys. Mech. Astron. 2013. Vol. 56. P. 2312–2326. https://doi.org/10.1007/s11433-013-5352-6

21. Baskaran A., Smereka P. Mechanisms of Stranski-Krastanov growth // J. Appl. Phys. 2012. Vol. 111. Iss. 4. Art. No. 044321. https://doi.org/10.1063/1.3679068

22. Шугуров А. Р., Панин А. В. Механизмы возникновения напряжений в тонких пленках и покрытиях // ЖТФ. 2020. Т. 90. № 12. С. 1971–1994. https://doi.org/10.21883/jtf.2020.12.50417.38-20. – EDN: VBXWWO.

23. Braun A., Diale M., Malherbe J., Braun M. Introduction: Jan van der Merwe. Epitaxy and the computer age // J. Mater. Res. 2017. Vol. 32. P. 3921–3923. https://doi.org/10.1557/jmr.2017.426