The results of the experimental investigation of Ni-n-n+-In fabricated from the low-resistance ZnS:AI (n+-area) have been presented. A compensated high-resistance n-layer was obtained by thermodiffusion of Ag. The photodiodes have the injecting amplification of photo current at 1–10 V direct biases. The peculiarities of the dependence of current across diodes on the thickness of n-layer in darkness and in UV light have been revealed. The photosensitivity has the maximum in the narrow spectral range near the fundamental absorption.
1. Физика соединений / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. - М.: Наука, 1986. - 320 с.
2. Лосев В.В., Орлов Б.М., Стафеев В.И. Фотоэлектрические свойства диодов на основе высокоомного ZnS // ФТП. - 1975. - Т. 9, вып. 1. - С. 41-45.
3. Лосев В.В., Лубегин Г.В., Орлов Б.М. Селективные фотодиоды на основе монокристаллов А ii В vi для контроля процессов сухого размерного травления // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. - 1990. - Вып. 2 (136). - С. 72-74.
4. Мамедов А.Л. Аппроксимации температурно-частотных характеристик контактов металл–полупроводник с барьером Шотки // Изв. вузов. Электроника. - 2007. - № 1. - С. 36-40.
5. Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn // ЖТФ. - 2003. - Т. 73, вып. 4. - С. 90-99.
6. Дэвисон С., Левин Дж. Поверхностные состояния. - М.: Мир, 1973. - 390 с.