The results of the experimental investigation of Ni-n-n+-In fabricated from the low-resistance ZnS:AI (n+-area) have been presented. A compensated high-resistance n-layer was obtained by thermodiffusion of Ag. The photodiodes have the injecting amplification of photo current at 1–10 V direct biases. The peculiarities of the dependence of current across diodes on the thickness of n-layer in darkness and in UV light have been revealed. The photosensitivity has the maximum in the narrow spectral range near the fundamental absorption.
Представлены результаты экспериментального исследования фотодиодных структур Ni-n-n+-In, изготовленных из низкоомного кристалла ZnS:AI (n-область). Высокоомный компенсированный n-слой получен термодиффузией серебра. Фотодиоды обладают инжекционным усилением фототока при прямом смещении 1–10 В. Выявлены закономерности изменения токов через диоды от толщины n-слоя в темноте и при УФ-освещении. Фоточувствительность максимальна в области собственного поглощения в узкой спектральной полосе.