The possibility of using the new SiGe technology for realization of active microwave-units of receiving-transmitting modules has been considered. A comparison analysis of the technological processes for realization of the control devices has been presented. The estimation of possible attainable parameters of the X - band core chip realized according to SiGe technology has been made.
1. Приемо-передающие модули АФАР. Сайт компании Микран. – URL: http: oldmicran.tomnet.ru/productions/svch/aesa/ (дата обращения: 28.01.2016).
2. Баров А.А. GaAs СВЧ монолитные интегральные схемы для ППМ АФАР. – URL: http: www.micran.ru/sites/micran_ru/data/UserFile/File/Media/Barov_present.pdf (дата обраще-ния: 28.01.2016).
3. Приемо-передающие модули мм-диапазона для датчиков и систем ближней радио-локации / Е.А.Монастырев, П.Е.Денисов, С.Л.Кеврух и др. // Материалы IХ науч.-техн. конф. «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА» (1–3 декабря 2010 г., Звенигород). – 2010. – C. 110–113.
4. Семёнов Э.А., Бутерин А.В., Иванов А.В., Езопов А.В. Групповой приемо-передающий модуль АФАР Х-диапазона для бортовых РЛС НПЦ «Алмаз-Фазотрон» // Материалы IХ науч.-техн. конф. «Твердотельная электроника. сложные функциональные блоки РЭА» (1–3 декабря 2010 г., Звенигород). – 2010. –
5. Monastyrev E.A., Kevruh S.L., Moloshnikov V.A. LTCC based planar modules for X-band aesa microwave and telecommunication technology (CriMiCo) // 21th International Crime-an Conference (12–16 Sept. 2011, Sevastopol). –2011. – P. 195–197.
6. White D. GaN and GaAs MMIC and module technology supporting the needs of phased array radars // European Microwave Week. Defense and Security Forum (Oct.12, 2011). – 2011. – URL: http://www.microwavejournal.com/ext/resources/pdf-downloads/defsec-tqs.pdf (дата обращения 19.05.2016).
7. Тимошенков В.П. Состояние и перспективы развития технологии кремниевых ге-теропереходных биполярных транзисторов для СВЧ-применений // Изв. вузов. Электро-ника. – 2006. – № 5. – С. 16–19.
8. Тимошенков В.П Сверхширокополосный трансивер гигагерцового диапазона на SiGe-транзисторах // Изв. вузов. Электроника. – 2010. – № 3(83). – С. 20–26.