The description and the results of measuring the parameters of the integrated MOSFET for low-voltage applications have been presented. The preliminary calculation of the device has been verified in CAD ISE TCad. Based on the performed studies the conclusion about consistency and effectiveness of the proposed MOS transistor for low-voltage applications has been made.
Литература
1. 0.18 mm CMOS for mixed digital and analog applications with zero-volt-Vthepitaxial-channel MOSFET’s / T. Ohguro, H. Naruse, H. Sugaya et al. // IEEE Trans. on Electron Devic-es. – 1999. – Vol. 46. – N. 7. – P. 1378–1383.
2. Razavi B. CMOS technology characterization for analog and RF design // IEEE J. on Sol-id-State
Circuits. – 1999. – Vol. 34. – N. 3. – P. 268–276.
3. Dynamic threshold-voltage MOSFET (DTMOS) for ultra-low voltage VLSI / Fariborz Assaderaghi,
D. Sinitsky, S.A. Parke et al. // IEEE Trans. ON Electron Devices. – 1997. – Vol. 44. – N. 3. – P. 414 – 422.
4. Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. МОП-транзистор с управлением карма-ном и затвором одновременно // Вестник Воронежского государственного технического университета. – 2012. – Т. 8. – С. 151–154.
5. Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. Физические основы работы МОП-транзистора
с управлением карманом и затвором одновременно // Вестник Воронежского государ-ственного технического университета. – 2012. – Т. 8. – № 11. – С. 116–118.
6. Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. Эквивалентная схема МОП-транзистора с электрически соединенными затвором и карманом // Изв. вузов. Электроника. – 2014. – № 1(105) – С. 85–86.
7. Описание технологического процесса ОАО «НИИМЭ и «Микрон» [Электронный ресурс]. – URL: http://www.mikron.sitronics.ru/products/micron/technology/ (дата обращения: 05.10.2015).
8. Скляр В.А., Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. Интегральная микросхема биполярной МОП транзисторной структуры с низким напряжением питания // Свиде-тельство РФ № 2013630073. – 2013.