The problems in production of polycrystalline silicon for solar cells at present and in the nearest future have been considered. New progressive technologies, already realized in the pilot-scale production, as well as the recent original developments have been presented. In particular, the reduction of silicon oxides in the gas phase is a very promising process for production of high-purity silicon.
1. Заддэ В.В, Наумов А.В. Трихлорсилан и Солнце // The Chemical Journal. - 2006. - № 3. - С. 44-48.
2. Наумов А.В. Еще раз о развитии солнечной энергетики и рынке кремниевого сырья с 2007-2010 гг. // Тез. докл. IV Российской конф. с междунар. участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе «Кремний - 2007». - М., 2007. - С. 46-50.
3. Грибов Б.Г., Зиновьев К.В. Получение высокочистого кремния для солнечных элементов // Неорганические материалы. - 2003. - Т. 39, № 7. - С. 775-785.
4. Pilot production of granular polysilicon from trichlorosilane using a fluidized bed-type reactor / D.Weidhaus, E.Schindlbeck, K.Hesse et al. // 20-th Europ (PVSEC). - 2005. - P. 565-568.
5. Пат. США №7029632. Radiation - heated fluidized-bed reactor. Weidhaus D. et al. (Wacker Chemie), 2006.
6. New Process for cost effective Solar Grade Silicon from silane / A.Muller, R.Sonnenschein, T. Sill et al. // 20-th Europ (PVSEC). - 2005. - P. 623-626.
7. Masatsugu Yamaguchi. Polysilicon manufacturing implementing the reduction of silicon tetrachloride with zinc vapor: a very uncommon approach from shisso // 4-th Solar Silicon conference. - Munich, 2007. - С. 78-85.
8. Kreutzmann A. Yellow is the color of hope // Photon International. - 2006. - № 9. - С. 66-70.
9. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов Е.П.Белов, Е.Н.Лебедев, Ю.П. Григораш и др. / М.: НИИТЭХИМ, 1989. - 72 с.
10. Бесхлорная алкоксисилановая технология получения полупроводникового кремния / Е.П.Белов, В.Г.Герливанов, С.И.Клещевникова и др. // Тр. междунар. конгресса «Бизнес и инвестиции в области возобновляемых источников энергии в России». - М., 1999. - С. 226-236.
11. Исследование взаимодействия силицидов лития с кислотами для получения моносилана / В.В.Соколов, Л.Н.Трушникова, А.П. Зубарева и др. // Материалы электронной техники. - 2003. - № 3. - С. 22-25.
12. Процессы взаимодействия гидрида лития с двуокисью кремния / А.А.Камарзин, Ю.М.Зеленин, В.И. Лаврентьев и др. // Материалы электронной техники. - 2001. - № 2. - С. 16-19.
13. Тамендаров М.Ф. Новый способ получения силана для производства солнечного кремния // Тез. докл. I Российской конф. «Кремний-2003». - М., 2003. - С. 366.
14. Production of polycrystalline silicon sheet with different shapes by sintering of silicon powders / A.Derbouz Draona, A.Straboni, A.M.Archambault et al. // 20-th Europ. PVSEC. - 2005. - P. 1474-1477.
15. Development of NEDO melt-purification process of solar-grade silicon / N.Yuge, M.Abe, K.Hanazawa et al. // Techn. Dig. Int. PVSEC, 1999. - 22Аl. - P. 115-118.
16. Катков О.М. Выплавка технического кремния. - Иркутск: Изд-во ИПУ, 1997. - 243 с.
17. Production of Solar grade silicon by carbothermic reduction of high purity silica / F.Aratani, Y.Sakaguchi, N.Yuge et al. // Bull. Jpn. Inst. Metals, 1991. - Vol. 30, № 5. - P. 433-435.
18. Абдюханов И.М. Разработка научных основ технологии производства металлургического кремния повышенной чистоты для наземной фотоэнергетики // Российский хим. журнал. - 2001. - Т. 45, № 5-6. - С. 107-111.
19. Solar grade-silicon by a direct route based on carbothermic reduction of silica: requirements and production technology / L.J.Geerlings, G.P.Wyers, R. Yensen et al. // 12-th NREL Workshoр on Crystalline Silicon Solar Cells, Materials and Processes. - 2002.
20. Schmela M. Mapping the silicon world // Photon International. - 2005. - № 5. - P. 24-35.
21. Получение кремния для фотоэнергетики из кремнийсодержащих отходов металлургической промышленности / Х.А.Абдуллин, Б.А.Бекетов, Н.С. Бектурганов и др. // Тез. докл. Совещания «Кремний-2004». - Иркутск, 2004. - С. 35.
22. Демин В.Н., Титов А.А., Ващенко С.П., Кузнецов Ф.А. О возможности газофазного восстановления кварцитов // Тез. докл. Совещания «Кремний-2004». - Иркутск, 2004. - С. 19.
23. Ботвинкин О.К., Запорожский А.И. Кварцевое стекло. - М.: Изд-во литературы по строительству, 1965. - 235 с.
24. Пат. США №3010797. High purity elemental silicon / R.S.Aries. - 1961.
25. Пат. Японии №561235. Метод производства мелкодисперсного монооксида кремния / T.Funahashi, K.Ueda, R.Ucnimura, Y.Oguchi. - 1990.
26. Плазменный процесс получения моноокиси кремния / И.Д.Кулагин, В.К.Любимов, К.Г.Марин и др. // Физика и химия обработки материалов, 1967. - № 2. - С. 36-41.
27. Pat. ЕР 0329803 31. Method and apparatus for preparing high-purity metallic silicon / F.Aratani, T.Fukutake. - 1993.
28. Пат. РФ №21737386. Способ получения мульти- и монокристаллического кремния / А.М.Прохоров, Г.Н.Петров, Н.А. Калужский и др. - 1999.
29. Леко В.К., Мазурин О.В. Свойства кварцевого стекла. - Л.: Наука, 1985. - 148 с.
30. Решение о выдаче пат. РФ по заявке №2006130023/15 (032646). Способ получения кремния высокой чистоты / В.Д.Афанасьев, Б.Г.Грибов, К.В.Зиновьев и др. - 2006.
31. Кинетика газификации кремнезема в различных условиях / Г.Г.Папин, И.В.Рябчиков, Н.М. Деханов и др. // Докл. АН СССР. Химическая технология. - 1971. - Т.196, № 5. - С. 1156-1158.
32. Некрасов Б.В. Основы общей химии. - 3-е. изд. - М.: Химия, 1974. - Т. 1. - 656 с.