The analysis and the numerical calculation of the photorelaxation processes and spectral characteristics of photosensitivity of n- and p-type regions of the three-diode vertical integrated photocell have been performed. The dependencies of the photorelaxation times of the photocell n- and p-type regions on the length of absorbed optical radiation have been obtained.
1. Pat. US № 5,969,875, Int.Cl. G01J 3/50, U.S.Cl. 250/226. Colour Separation in an Active Pixel Cell Imaging Array Using a Triple-Well-Structure / R.B. Merrill. - 1999.
2. Barsan R. Characteristics of the Overlaid Charge-Coupled Device // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1979. - Vol. ED-26, № 2. - P. 123-131.
3. Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Theoretical and experimental study of photoelectric characteristics of the two-channel bulk charge-coupled device // Optical Engineering. - 1994. - Vol. 33, № 7, July. - P. 2352-2356.
4. Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Photoelectrical characteristics of the spectrozonal two-channel bulk charge coupled device // Proc. 40th Int. Symp. Opt. Eng. Inst. (San Diego, California, USA, 13-14 July 1995). - 1995. - Vol. 2551. - P. 189-196.
5. Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Numerical simulation of photoelectrical characteristics of the spectrozonal three-channel bulk charge coupled device // Optical Engineering. - 1997. - Vol. 36, June. - P. 1678-1684.
6. Хайновский В.И., Уздовский В.В., Гордо Н.М. Многофункциональные спектрозональные фоточувствительные объемные приборы с зарядовой связью // Изв. вузов. Электроника. - 1999. - № 3. - С. 45-51.
7. Хайновский В.И., Уздовский В.В., Гордо Н.М., Федоров Р.А. Моделирование процессов фоторелаксации в многоканальных объемных фоточувствительных приборах с зарядовой связью // Изв. вузов. Электроника. - 2000. - № 1. - С. 28-35.
8. Игнатьева Е.А., Уздовский В.В., Хайновский В.И. Расчет конструктивных параметров и электрического потенциала трехдиодной вертикально интегрированной спектрально-селективной фотоячейки // Изв. вузов. Электроника. - 2008. - № 1. - С. 35-42.
9. Dash W.C., Newman R. Intrinsic Optical Absorption in Single-Crystal Germanium and Silicon at 77K and 300K // Phys. Rew. - 1955. - Vol. 99, № 4, August. - P. 1151-1155.
10. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир, 1984. - 655 с.