1. Максименко Ю. Мощный высоковольтный транзистор со статической индукцией КП926А, Б // Современная электроника. 2023. № 4. С. 24-27.
Maksimenko Yu. Powerful high-voltage transistor with static induction KP926A, B. Sovremennaya elektronika, 2023, no. 4, pp. 24–27. (In Russian).
2. Бономорский О. И., Кюрегян А. С., Горбатюк А. В., Иванов Б. В. Сравнительный анализ статических характеристик биполярных транзисторов с изолированным затвором и тиристоров с полевым управлением // Электротехника. 2015. № 2. С. 51а-56. EDN: TGTMIZ
Bonomorskii O. I., Kyuregyan A. S., Gorbatyuk A. V., Ivanov B. V. Comparative analysis of static characteristics of insulated gate bipolar transistors and thyristors with static induction. Russ. Electr. Engin., 2015, vol. 86, iss. 2, pp. 93–97.
https://doi.org/10.3103/S1068371215020042
3. Кюрегян А. С., Горбатюк А. В., Иванов Б. В. Сравнение средних по времени потерь мощности в биполярных транзисторах с изолированным затвором и комбинированных СИТ-МОП-транзисторах // Электротехника. 2017. № 2. С. 52-56. EDN: XSDLUT
Kyuregyan A. S., Gorbatyuk A. V., Ivanov B. V. A comparison of time-average power losses in insulated-gate bipolar transistors and hybrid SIT–MOS–transistors. Russ. Electr. Engin., 2017, vol. 88, iss. 2, pp. 77–80
https://doi.org/10.3103/S1068371217020043
4. Боднарь Д. Полупроводниковая микроэлектроника - 2023 г. Ч. 1: Широкозонные полупроводники раздвигают горизонты достигнутого // Электронные компоненты. 2023. № 11. С. 17-25. EDN: DXFSJL
Bodnar’ D. Semiconductor microelectronics – 2023. Pt. 1. Wide-band semiconductors are pushing the horizons of what has been achieved. Elektronnye komponenty = Electronic Components, 2023, no. 11, pp. 17–25. (In Russian). EDN: DXFSJL.
5. Максименко Ю. Н., Петросянц К. О., Силкин Д. С., Грабежова В. К.TCAD-моделирование транзистора со статической индукцией // Изв. вузов. Электроника. 2024. Т. 29. № 4. С. 489-503. DOI: 10.24151/1561-5405-2024-29-4-489-503 EDN: DWGUPK
Maksimenko Yu. N., Petrosyants K. O., Silkin D. S., Grabezhova V. K. TCAD simulation of a static induction transistor. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics, 2024, vol. 29, no. 4, pp. 489–503. (In Russian).
https://doi.org/10.24151/1561-5405-2024-29-4-489-503. – EDN: DWGUPK.
6. Воронин П. А. Силовые полупроводниковые ключи: Семейства, характеристики, применение. М.: Додэка-XXI, 2001. 380 с.
Voronin P. A. Power electronics semiconductor switches: Families, characteristics, application. Moscow, Dodeka-XXI Publ., 2001. 380 p. (In Russian).
7. Максименко Ю. Н. Мощные полупроводниковые приборы со статической индукцией: монография. Новосибирск: PVN, 2022. 214 с.
Maksimenko Yu. N. Powerful static induction semiconductor devices, monograph. Novosibirsk, PVN Publ., 2022. 214 p. (In Russian).
8. Максименко Ю. Н. Транзистор со статической индукцией КП926 с повышенным быстродействием // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2022. № 3 (266). С. 51-54.. -. DOI: 10.36845/2073-8250-2022-266-3-51-54 EDN: CASSYE
Maksimenko Yu. N. Static induction transistor KP926 with increased speed. Elektronnaya tekhnika. Ser. 2. Poluprovodnikovyye pribory = Electronic Technology. Ser. 2. Semiconductor Devices, 2022, no. 3 (266), pp. 51–54. (In Russian).
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2022-266-3-51-54. – EDN: CASSYE.