Персоналии

Балашов Юрий Степанович
доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой радиоэлектрон-ных устройств и систем Воронежского государственного технического университета. Область научных интересов: физика полупроводников и диэлектриков, интегральные технологии, 3d-проектирование интегральных схем.

Статьи автора

Представлены результаты измерения параметров интегрального МОП-транзистора для низковольтных применений. Проверены предварительные расчеты прибора в приборно-технологическом САПР ISE TCad. Показаны состоятельность и эффективность предлагаемого МОП-транзистора для низковольтных применений.

  • Просмотров: 1204 | Комментариев : 0

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru