Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
аспирант кафедры интегральной электроники и микросистем Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Россия, 119991, г. Москва, Ленинский пр-т, 32А
кандидат химических наук, научный сотрудник отдела разработок и исследования микро- и наносистем Института нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Россия, 119991, г. Москва, Ленинский пр-т, 32А)
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Россия, 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, 4, стр. 1
кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией физики оксидных сегнетоэлектриков Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» (Россия, 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, 4, стр. 1)
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зе-леноград, пл. Шокина, 1
магистрант Института перспективных материалов и технологий Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Национальный политехнический университет Армении, (Армения, 0009, г. Ереван, ул. Теряна 105); ЗАО «Синопсис Армения», (Армения, 0026, г. Ереван, Аршакуняц пр., 41)
аспирант кафедры микроэлектронных схем и систем Национального политехнического Университета Армении (Армения, 0009, г. Ереван, ул. Теряна 105), инженер-конструктор аналоговых и смешанных сигналов, инженер II ЗАО “Синопсис Армения” (Армения, 0026, г. Ереван, Аршакуняц пр., 41)